5.1金属--氧化物-半导体(MOS)场效应管P.pptVIP

;5 场效应管放大电路;5 场效应管放大电路; 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较; 1. 了解 MOSFET (金属-氧化物-半导体场效应管)的结构和工作原理，掌握其符号、特性曲线、特性方程、参数和应用。 2. 熟悉 MOSFET 放大电路的组成和工作原理，掌握 其静态分析和动态分析。;5 场效应管放大电路; 5.1.3 P沟道MOSFET ★1. P沟道增强型MOSFET ★2. P沟道耗尽型MOSFET;5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管;5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管;5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管;5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管;5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管; 场效应管(Field Effect Transistor，简称FET)：是一 种利用输入电压(栅-源电压)vGS产生的电场效应来改变 导电沟道的厚度，控制导电沟道的导电能力，从而达到用 输入电压vGS控制输出电流(漏极电流)iD的半导体器件。;5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管;5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;2. 工作原理 1)栅源电压vGS对漏极电流iD的影响 (1)vGS=0;iD;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;iD;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;斜率;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;IDO=KnV2T：vGS=2VT时 的iD。;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;iD 与 vDS无关，受vGS控制。;vDS=10V;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.1 N沟道增强型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;1. 结构、符号和工作原理简述 1) 结构;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;iD;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET; vGS ≤ VP时导电沟道 被夹断， iD=0，管子截止。;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;iD;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET; vGS↑→vGD↑→沟 道厚度↑、电阻↓→iD↑。 vDS小，iD↑不多。;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET;vGS↑→沟道厚度↑→iD↑;5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET; VT: 沟道刚形成的vGS VP: 沟道刚消失的vGS IDO: vGS=2VT时的iD IDSS: vGS=0时的iD;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;iD;5.1.3 P沟道MOSFET; vGS↓→vGD ↓→ 夹断区厚度↓→ iD↑→ iD是受vGS控制的电流源。;和输出特性各 6 条，其电 压和电流方向也有所不同。 若按统一规定正方向，特性曲线要画在不同的象限。为了 便于绘制，P沟道管以-vDS作为横轴的正方向。;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;5.1.3 P沟道MOSFET;-2V;5.1.3 P沟道MOSFET; VT: 沟道刚形成的vGS VT: