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第3章三极管及放大电路基础

4.1 半导体三极管(BJT);4.1.1 BJT的结构简介;4.1.1 BJT的结构简介; 结构特点:;4.1.2 BJT的电流分配与放大原理;2. 三极管的三种组态;3. 电流分配关系;根据; 可见,无论哪种连接方式,BJT在发射结正偏,集电结反偏且电流放大系数不变时,输出电流都正比与输入电流。如果能控制输入电流,就能控制输出电流,因此BJT为电流控制器件。由前可知,IE受VBE控制,所以IC和IB也受VBE控制,称之为BJT的正向受控特性。;RL; 综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输,然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是: (1)内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,且基区很薄。 (2)外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。;vCE = 0V;(3) 输入特性曲线的三个部分;饱和区:iC明显受vCE控制的区域,该区域内,一般vCE<0.7V(硅管)。此时,发射结正偏,集电结正偏或反偏电压很小。; 测量三极管三个电极对地电位,试判断三极管的工作状态。;4.1.4 BJT的主要参数;(2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const; (3) 共基极直流电流放大系数 =(IC-ICBO)/IE≈IC/IE ; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=(1+ )ICBO ;(1) 集电极最大允许电流ICM;(3) 反向击穿电压; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区;半导体三极管的型号;双极型三极管的参数;4.1 BJT;4.2 共射极放大电路;4.2 共射极放大电路;2. 简化电路及习惯画法;3. 简单工作原理;4. 放大电路的静态和动态;4.2 共射极放大电路;4.2 共射极放大电路;(a);4.3 图解分析法; 共射极放大电路; 采用该方法分析静态工作点,必须已知三极管的输入输出特性曲线。;直流通路; 4.3.2 动态工作情况分析;4.3 图解分析法; 4.3.2 动态工作情况分析; 4. 输出功率和功率三角形; 共射极放大电路;4.3 ; 共射极放大电路;4.4 小信号模型分析法;建立小信号模型的意义;1. H参数的引出;4.4.1 BJT的小信号建模;4.4.1 BJT的小信号建模;4.4.1 BJT的小信号建模;4.4.1 BJT的小信号建模;4.4.2 用H参数小信号模型分析共 射极基本放大电路;2. 画出小信号等效电路;3. 求电压增益;4. 求输入电阻; 1. 电路如图所示。试画出其小信号等效模型电路。;例题;4.4 ;4.5 放大电路的工作点稳定问题;4.5.1 温度对工作点的影响;4.5.2 射极偏置电路; 4.5.2 射极偏置电路; 4.5.2 射极偏置电路; 4.5.2 射极偏置电路; 4.5.2 射极偏置电路; 4.5.2 射极偏置电路; 4.5.2 射极偏置电路;;1;4.6 共集电极电路和共基极电路;4.6.1 共集电极电路;②电压增益;③输入电阻; 4.6.1 共集电极电路;4.6.2 共基极电路; 4.6.2 共基极电路; 4.6.2 共基极电路;3. 三种组态的比较;例题;4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应;4.7.1 单时间常数RC电路的频率响应;最大误差 -3dB;4.7.1 RC电路的频率响应;4.7.2 单极放大电路的高频响应;4.7.2 单极放大电路的高频响应;4.7.2 单极放大电路的高频响应; 4.7.2 单级高频响应; 4.7.2 单级高频响应;——共发射极截止频率; 4.7.2 单级高频响应; 4.7.2 单级高频响应;2. 共射极放大电路的高频响应;2. 共射极放大电路的高频响应;2. 共射极放大电路的高频响应;例题;3. 共基极放大电路的高频响应;3. 共基极放大电路的高频响应;3. 共基极放大电路的高频响应;4.7.3 单极放大电路的低频响应;4.7.3 单极放大电路的低频响应;4.7.3 单极放大电路的低频响应;4.7.4 多极放大电路的频率响应;4.7.4 多极放大电路的频率响应

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