绪论和第一章：常用半导体器件选编.ppt

模拟电子技术基础;一、电子技术的发展;一、模拟电路;二、课程目的;四、重点;五、学习方法;第1章 常用半导体器件;1.1;;;(带负电);;;;;;由于自由电子和空穴所带电荷极性不同，所以它们的运动方 向相反，本征半导体中的电流是两个电流之和。; 正是由于有了“空穴”和“自由电子”两种载流子，使得半导体具有了导电性。因此，半导体导电性的强弱，即电导率就取决于半导体内载流子的浓度。 本征半导体中空穴和自由电子的浓度总是相同的，即空穴和自由电子数量总是相等的。 ;二、 杂质半导体;2. P 型半导体;三、 PN结的形成及其单向导电性;2. PN结的单向导电性;（2） PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;1． 势垒电容? 当PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将随之变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同，如图所示。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。 当PN结加反向电压时，Cb明显随U的变化而变化，利用这一特性可以制成各种变容二极管。;2． 扩散电容 PN结正向导电时，多子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布(注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累)。 积累的电荷量随外加电压的变化而变化，当PN结正向电压加大时，正向电流随着加大，积累的电荷多；而当正向电压减小时，正向电流减小，积累的电荷就减少。这样，就相应地要有电荷的“充入”和“放出”，与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容Cd。  低频时其作用忽略不计，只在信号频率较高时才考虑结电容的作用;复习 1、 P型半导体和N型半导体各自具有什么特点 2、PN结的形成以及PN结的单向导电性 ;1.2;二极管的几种外形;二极管的几种常见结构;二、二极管的伏安特性;温度对二极管伏安特性的影响：;;;四、 二极管的主要参数;定性分析：判断二极管的工作状态;电路如图，求：UAB;两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V??二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;五、 稳压二极管;（2）主要参数;例: 如图所示电路中，已知输入电压UI=12V，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，稳定电流IZ=5mA,额定功率PZM=90mW，试问输出电压能否等于6V。;复习 1、 二极管的伏安特性 2、二极管等效电路 伏安表特性折线化等效电路和微变等效电路 3、稳压二极管 ;;N;基区：最薄， 掺杂浓度最低;晶体管的几种常见外形;二、晶体三极管的电流放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3.三极管内部载流子的运动规律;IC = ICE+ICBO ? ICE;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;UCE ?1V;IB=0;IB=0;复习 1、 晶体三极管的电流放大原理 2、晶体三极管的输出特性曲线 ;四、温度对晶体管特性的影响;五、 晶体管的主要参数;2. 特征频率fT; 3. 极限参数;例:图中三极管各电极电位已标出，试判断三极管分别处于何种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏），若处于放大状态或饱和状态，请判断是硅管还是锗管。;+4V; 1.5 场效应管;绝缘栅场效应管;; 当uGS＞0V时→删极聚集正电荷→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→剩下不能移动的负离子区，形成耗尽层。; 定义： 开启电压（ UGS（th））—— 刚刚产生导电沟道所需的栅源电压uGS。; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;（3）特性曲线;（b）恒流区也称饱和区（预夹断后） ; ② 转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const; 一个重要参数——跨导gm：;(4) MOS管的主要参数;本章小结