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第七讲Top_Down设计方法
第七讲 Top-Down的设计方法 ;Top-Down设计,即自顶向下的设计 :
将设计分为几个不同的层次:系统级、功能级、门级、开关级等,按照自上而下的顺序,在不同的层次上,对系统进行设计与仿真。
在Top-Down的设计中,由系统用户对整个系统进行方案设计和功能划分,把系统划分为基本单元,然后再把每个基本单元划分为下一层次的基本单元,直到可以直接用元件库中的元件来实现为止。 ;Top-Down设计方式示意图:
;Top-Down设计方法一般采用HDL语言,具有以下一些优点: ;自上而下的设计方法有以下缺点:
1): 因采用的综合工具不一样,得到的最小单元不标准。
2): 制造成本高。;频率计设计示例;根据频率计的工作原理,其组成部分如下: ;(1)1KHz时钟发生器 ;(2) 闸门电路;(3)计数器;else if(count[15:0]==16h9999)
begin
count[15:0]=0;
count[23:16]=count[23:16]+1;
end
else if(count[11:0]==12h999)
begin
count[11:0]=0;
count[23:12]=count[23:12]+1;
end
else if(count[7:0]==8h99)
begin
count[7:0]=0;
count[23:8]=count[23:8]+1;
end;else if(count[3:0]==4h9)
begin
countt[3:0]=0;
count[23:4]=count[23:4]+1;
end
else
count=count+1;
end
//输出计数值
always @(posedge clr or posedge load)
begin
if(clr)
result=24h0000;
else
result=count;
end
endmodule ;(4)显示电路;(5)顶层文件;//1KHz时钟分频器
counter1K U1( .clk1k(clk1k), .mclk(mclk));
//闸门电路
GateGen U2(.load(load),.clr(clr),.clk1k(clk1k));
//测量单元
Counter U3(.result(result),.load(load),.clr(clr), .signal(signal));
//LED显示
Disled U4(.seg7(ledseg7),.segsel(ledsel),.bcdin(result),.clk1k(clk1K));
endmodule;7.2 存储器建模;也可以用parameter参数定义存储器的尺寸,比如:
parameter wordwidth=8,memsize=1024;
reg[wordwidth-1:0] mymem[memsize-1:0]
上面的语句定义了一个宽度为8位,1024个存储单元的存储器。该存储器的名字是mymem,若对该存储器中的某一单元赋值的话,可采用如下方式:
mymem[8]=1; //mymem存储器中的第8个单元被赋值为1
mymem[25]=65; //mymem存储器中的第25个单元被赋值为65
不允许对存储器进行位选择和域选择。不过,可以首先将存储器的值赋给寄存器,然后对寄存器进行位选择和域选择。;为存储器赋值的另一种方法是使用系统任务(仅限于电路仿真中使用):
$readmemb(加载二进制值)
$readmemh(加载十六进制值)
这些系统任务从指定的文本中读取数据并加载到存储器。文本文件必须包含相应的二进制数或者十六进制数。; 存储器建模必须注意以下两个方面的问题: ;例如:指出可以对存储器做以下哪几种操作:
只读
读写
同步读写
多次读,同时进行一次写
多次同步读写,同时提供一些方法保证一致性;例1:ROM建模;例2:RAM建模;RAM模型跟ROM模型相比: ;7.3 双向口建模; 例如:当使用总线读RAM中的数据时,如果同时又向RAM模型的双向数据总线写数据,就会产生逻辑竞争,导致总线数据无法确定。所以必须为inout口设计控制逻辑,只有这样才能保证正确的操作。
使用双向口时还要注意:
声明一个inout口,可以用来输入或输出数据。inout口默认为网络连接类型。不允许在过程块(initial 或always块)中对网络连接类型的数据进行过程赋值;但可以在过程块外把一个寄存器数据类型通过连续赋值语句赋给它(inout口)
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