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《 模拟电子技术 》综合复习资料
第一章 常用半导体器件
一、选择
1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是 [ A ]
NPN型硅管
PNP型硅管
NPN型锗管 2V 6V
PNP型锗管 1.3V
2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是[ D ]
饱和
放大
截止
已损坏
3、 在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是 [ C ]
A.I=2mA B.I2mA
C.I2mA D.不能确定
4、 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 [ B ]
A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
5、二极管的主要特性是 [ C ]
A.放大特性 B.恒温特性
C.单向导电特性 D.恒流特性
6、温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将 [ B ]
A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
7、 下列选项中,不属三极管的参数是 [ B ]
A.电流放大系数β B.最大整流电流IF
C.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM
8、 温度升高时,三极管的β值将 [ A ]
A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定
9、 在N型半导体中,多数载流子是 [ A ]
A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]
A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小
C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大
11、 在P型半导体中,多数载流子是 [ B ]
A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
四、
在某放大电路中,晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA,I2=-0.03mA,I3=1.23mA。
由此可知:
1、电极①是 C 极,电极②是 B 极,电极③是 E 极。
2、此晶体管的电流放大系数约为 40 。
3、此晶体管的类型是 PNP 型(PNP或NPN)。
l1
l2
l3
T
①
②
③
五、
测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
1判断它们各是NPN管还是PNP管,在图中标出e,b,c极;
(a)NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B
(b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B
2估算(b)图晶体管的 和 值。
(a) =40 =40/41
(b) =60 =60/61
六、
判断各下图中二极管导通状态,并标出的值。各二极管导通电压0.7V。
左图:D1 D3 D2导通D4截止 =2.1V
右图: D2导通D1截止 =-6V
七、
电路如下图所示,若UI=10V,R=100?,稳压管DZ的稳定电压UZ=6V,允许电流的变动范围是Izmin=5mA
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