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第二章纳米科技的典型研究方向_1
纳米材料;纳米科技的典型研究方向 ;纳米科技的分类
纳米电子学
纳米物理学
纳米化学
纳米生物学
纳米机械学
纳米表征学;2.1 纳米电子学
2.2 纳米微机械技术(MEMS);2.1 纳米电子学(nanoelectronics);微电子学与微米技术:;集成度:
;微电子领域发生的两次重大技术革命:;电子材料与计算机科学的进步;;芯片的集成技术;电子学未来的发展目标---- ;美国国防高等技术研究厅根据此要求作出的超电子研究计划(ultra electronics):;2.1 纳米电子学(nanoelectronics);象上了发条的时钟一样得到应验的 摩尔(Moore,英特尔的创始人)定律;2.1.1.1 摩尔定律遇到的严重挑战;2.1.1.2 纳米电子学的研究内容;挑战一:达到了决定线宽的集成电路光刻加工的物理极限(100nm),现行的微电子学工艺很难再有所作为。;什么是光刻法?;集成电路芯片的制造:胶印板光刻原理图;检测电路板刻线的宽度和深度 ; 2001年,该公司将纳米技术应用于芯片制造,做出了世界上大小只有20nm的硅晶体管,其中的门绝缘体只有的0.8nm厚度(约3个原子),每秒可开关变换1.5万次,是目前晶体管的10倍。基于它们可制造含10亿硅晶体管的中央微处理器(cpu) ,运行速度可达20GHz。比较: 8088:29,000个晶体管;奔腾4:4000万个晶体管,1.7GHz。;几种能提高刻蚀精度的光刻方法;挑战二(更大的挑战):; 把自由运动的电子囚禁在一个小 的纳米颗粒内,电子能量量子化,不再遵守欧姆定律。而是遵守---;库仑阻塞效应示意图; 当存储器达到1024兆位时,集成电路的线宽将细到0.1微米,也就是100nm,差不多是一根头发丝的千分之一。这样细的电路,被认为是集成电路的极限,现有电子元件将失去工作的理论基础,因为------;(1)逻辑门会处于不确定状态。芯片微处理器是通过逻辑“门”的开或关来工作的,门的开关状态取决于有无电流通过。目前微处理器中的逻辑门正常工作时需要数百上千个电子的电流,随着芯片集成度和速度的提高,所需电子数还会进一步提高。但是芯片内线宽的减小却会导致单位时间内通过逻辑门的电子数大幅度减小,当电子数减至数十个数量级时,逻辑门在判断开或关时就会处于不确定状态,无法正常工作。
(2)器件功耗过大。即使通过芯片的设计和新的制造方法在一定程度上提高集成电路的集成度,但由于微电子器件的工作电流很大,功耗也相对很大。同时功耗过大会造成芯片过热,使用寿命缩短,可靠性降低。;解决方法 ————;回顾:纳米电子学的研究内容;2.1 纳米电子学;应对摩尔定律的挑战,实现纳米电子器件及其集成电路的两种可能方式----;研究纳米电子器件的两条路;即在一个表面上刻出纳米结构或向该表面加入大团分子。
在很大程度上依赖于纳米制造学的发展,发展优质原子级薄膜制备和刻蚀技术是关键,特别是原子层外延、分子束外延、电子束和离子束刻蚀。
电子束刻印术;
STM 和AFM扫描探针法
浸笔式刻印术;Evaluation only.
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Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;(2)“从下到上”法:将分子或原子组装成纳米结构。 ;通过催化生长的工艺可制作出长的纳米碳管;具有量子效应的纳米电子器件符合未来计算机发展的需要,可以满足对未来芯片“更小、更快、更冷”的要求,因为:
工作能耗小。工作电流仅为1~10个电子;
工作时钟频率大幅度提高;“从上到下”法;定义:特征尺寸1.0~10nm的纳电子器件。; 1、量 子 点 (QD);2、谐 振 隧 穿 器 件;3、单 电 子 器 件; 单电子器件的应用前景; 单电子系统研究进展
单电子超高密度存储器。 1996年春,日本日立公司在世界上率先研制成功可作为将来高性能存储器件的单电子存储器。目前,日本已研制成能在室温条件下工作的单电子存储器,将比现在最先进的16MB DRAM存储
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