第六章MCS_51单片机的外部基本扩展与应用.pptVIP

第六章 MCS?51系列单片机的基本扩展技术 ; 下面介绍单片机中所使的半导体存储器在功能上的分类。 1.只读存储器 2.随机存储器 3.可现场改写的非易失存储器;1.只读存储器（Read Only Memory); 可改写的只读存储器EPROM 它的内容可以通过紫外线照射而彻底擦除，擦除后又可重新写入新的程序。使用得当，一般情况下一个EPROM芯片可改写几十次。擦除时间一般为几分钟到二十几分钟（不同厂家略有不同）。 ;可电改写只读存储器E2PROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) E2PROM可通过加电写入或清除其内容，编程电压和清除电压均为+5V,使用也极为方便。数据不会因掉电而丢失。 E2PROM 保存的数据至少可达10年以上，每块芯片可擦写1000次以上。;2.随机存储器;3、可现场改写的非易失存储器;6.0 MCS-51单片机的最小系统;XTAL1;6.0.2 8031最小应用系统 ;该最小系统特点如下： （1）由于P0、P2在扩展程序存储器时作为地址线和数据线，不能作为I/O线，因此，只有P1、P3作为用户I/O口使用。 （2）片内数据存储器同样有128字节，地址空间00H~7FH，没有片外数据存储器。 （3）内部有无程序存储器，但片外扩展了程序存储器，其地址空间随芯片容量不同而不一样。图6.2中使用的是2764芯片，容量为8K字节，地址空间为0000H~1FFFH。由于片内没有程序存储器，只能使用片外程序存储器，EA只能接低电平。 （4）同样可以使用两个定时/计数器T0和T1，一个全双工的串行通信接口，5个中断源。 ;6.1 存储器扩展;2、数据线：存储器芯片的数据线的数目由芯片的字长决定。连接时，存储器芯片的数据线与单片机的数据总线(P0.0~P0.7)按由低位到高位的顺序顺次相接。 ;三．扩展存储器所需芯片数目的确定;6.1.2 MCS?51并行扩展总线 ; P0、P2口可以直接作为输入输出使用，其更重要的用途是用来扩展总线口使用。 P0口作为地址（地址低8位）/数据（D0~D7）总线口。 P2口作为地址总线口（地址高8位）。; PSEN MCS—51 P2，P0 RD WR ;控制信号 ;;; MCS?51访问外部存贮器时序波形可以看出，输出的地址当ALE上升以后有效，???ALE下降以后消失，因此可以用ALE的负跳变将地址打入地址锁存器，即当ALE由高变低时，将出现在P0口的地址信号低8位锁存到外部地址锁存器中（如图6?1所示），直到下一次ALE变高时，地址才发生变化。 ;（一）全地址译码法;（二）部分地址译码法 ;（三）片选法; 6.1 MCS?51存贮器的扩展 ;EPROM是紫外线可擦除电可编程的半导体只读存贮器，掉电后信息不会丢失。 EPROM中的程序一般由专门的编程器写入，由专门的擦除器擦除（擦除后EPROM阵列全为1状态），擦除时紫外线强度为12000mw/cm2，波长为l=2537? ，时间为10~20min。 常用的EPROM有：2716，2732，2764，….。;A0~ Ai：地址输入线。2716：i=10； 27512：i=15； （2K~64K） O0~O7：三态数据总线。;2、E2PROM电路;CE： 片选信号输入线（接CPU地址线） OE： 读选通信号输入线 (接CPU RD∨ PSEN) WE： 写选通信号输入线 (接CPU WR) RDY/BUSY：2817的状态输出线，为“0”表示正在进行写操作，写入完毕呈高阻态 VCC： 主电源+5V GND： 线路地;的RDY/BUSY状态线可供CPU采用中断或查询方式来控制对2817的字节写操作。 2864的写操作： Inter公司的2864采用页面写操作方式。 Inter公司的2864A内设有16B的页缓冲器，其整个存贮空间分为512页（每页16B），页面操作分“页加载”和“页存贮”两步进行。;1、程序存贮器扩展的基本原理;MCS—51访问外部程序存贮器时序波形如下：;2、程序存贮器扩展的一般方法; E低电平有效（一般接地）。G（STB）为锁存信号输入端， 高电平时Q0~Q7=D0~D7， G（STB）电平负跳变（为0）时， Q0~Q7状态保持不变。 ;3