选择性发射极电池研发计划资料.ppt

选择性发射极电池研发计划;概述;背 景 介 绍;选择性发射极太阳能电池;选择性发射极太阳能电池的几种典型路线;两步扩散法;两次扩散法的改进—掩膜+一步扩散;两部扩散法形成选择性扩散区域是目前最为成熟的SE技术，我们也有非常成熟的技术积累；它与现有生产线有较好的兼容性，核心设备均能在市场上采购，但需自行设计浆料清洗和硅片传递设备（Centrotherm采用激光开孔的方式替代印刷刻蚀）； 需要经过3次高温（1次氧化+2次扩散）和腐蚀浆料的印刷和清洗过程，使得生产流程变得复杂，生产成本有较大的上升； 若能改进到1次扩散（未经实践，但实现的可能性较大），即可以省略轻扩散步骤，氧化层去除亦可与去磷硅同时进行，则此工艺尚具有一定的价值;两次扩散法对设备开发的需求;湿法刻蚀法;湿法刻蚀法形成选择性扩散区域由来已久，后德国Schmid公司加以改进，并推出???于此技术的Turnkey业务；优势在于只需要一次高温过程，而且掩膜材料相对于腐蚀材料来说，价格更低 所增加的掩膜印刷、腐蚀等工序均在PN结形成之后，对电池性能影响较小； 掩膜材料和精密刻蚀设备（硅刻蚀）在市面上均无销售，研发周期较长；;掩膜材料：可通过印刷的方式在硅片上形成一定图形的掩膜层，对材料的印刷性能和抗腐蚀性能（氢氟酸+硝酸）要求较高； 硅刻蚀设备：硅刻蚀精度和均匀性的要求（~50nm刻蚀量，5%以内的刻蚀均匀性），技术并不成熟