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XXXXXXXX有限公司;第一部分：基础知识;ZnO压敏电阻的微观形貌;ZnO内部结构模型;非线性机理模型;图10(a)两个晶粒不结合时，ZnO晶粒是n型半导体，其费米能级EFG高于非n型的晶界的费米能级EFB。ZnO晶粒中存在一定浓度的自由电子，晶界层与ZnO晶粒交界的界面上则有大量的表面态。 当两个ZnO晶粒和晶界按实际晶界结构结合时，由于两侧晶粒的费米能级高，使得ZnO晶粒表面的自由电子流入界面能级，被界面中的受主表面态俘获，导致能带结构变成图b。流入界面能级被受主表面态俘获的电子变成带负电的界面电荷，它被在晶界附近正离子化的施主电荷平衡。而ZnO晶粒表面失去自由电子后将由电中性变成带正电；晶粒内部的自由电子因热运动输出到表面，然后重复上一过程，直至EFB=EFG，此过程使宽度为L的晶粒表层的自由电子耗尽，形成一个从晶粒表面渗入晶粒体内一定深度的电子势垒，这种带正电荷的区域称为空间电荷层，也称为自由电子耗尽层。它构成了ZnO非线性电阻的高阻层。由于它的影响，导致能带发生弯曲，形成了图10(b)所示的势垒结构。;ZnO晶粒本身的电阻率为0.001～0.1Ω?m，而晶界高阻层的电阻率在108Ω?m以上，所以在施加的电压较小时，几乎全部由晶界层承担。低电场区：≤1μA?cm-2中电场区： 1μA?cm-2～102A?cm-2高电场区：≥ 102A?cm-2 现在随着配方、工艺的进步，可以在103A?cm-2数量级上仍保持较好的非线性。4kA?cm-2;压敏芯片的基本特性;压敏芯片的基本特性;常用电性能参数;漏电流IL：测试电压为（0.75±0.01）U1mA，加上电压后0.2S~2S内读取样品中的电流，漏电流不应随测试时间的增加而持续升高，持续降低是良好的表现。它表征了低电场区晶粒-晶界高阻层的绝缘场强。由三个电场划分可知，在1μA/cm2 以下是属于低电场安全区，阀片漏流标准可以参照此确定。UL最新标准：0.88U1mA下小于200。;非线性系数α：其定义是： I= K ? Uα或J=K ? Eα 常用计算公式：α= 1/lg(U1mA/U0.1mA) 它表征了流过压敏片的电流在0.1～1mA区间段内电压的变化。对34×34mm的防雷阀片而言，与它对应的特性曲线区间段为0.01mA ?cm-2～0.1mA?cm-2。它不能衡量阀片在大电流区的表现。;标称放电电流In： MOV能够承受规定次数和规定峰值的8/20 μS冲击电流。8/20 μS波形如图1规定。 最大放电电流 Imax：MOV的动作负载试验电流，除非另有规定，电流波形为8/20 μS，Imax大于In。 宽波冲击电流I2mS： 规定波形的等效方波宽度 ≥100 μS的冲击电流。除非另有规定，则为2 mS方波。2 mS方波波形如图2规定。是为了测试最大的能量吸收能力而采用的较长时间的脉冲电流。 ;常用电性能参数;残压 Ur：单只MOV 产品流过8/20 μS冲击电流时，它两端的电压峰值。 In下的限制电压Un：某批MOV 产品在标称放电电流In下的最高残压值。 工作电压UDC或UAC：在规定温度下，允许连续施加在压敏芯片上的最大直流电压UDC或最大交流电压的有效值UAC 。在规定的工作电压时，导通电流较小可忽略不计。;限制电压测量注意事项; 加速老化寿命：环境温度越高，加在压敏芯片上的荷电率越大，电阻性漏电流随时间t增大的速度就越快。因此，保证压敏芯片在规定的环境温度和荷电率下，具有要求的期望寿命。 表.1提供了进行115℃，1000h老化试验所得出的最小期寿命的示例。 ;暂时过电压(TOV)耐受能力：在规定温度和试验条件下MOV耐受规定的暂时过电压（TOV）而不发生热击穿的能力。TOV以电压比值RTOV = UTOV / Uc，即工频暂时过电压有效值对MOV最大交流连续电压之比来表示。一定的试验条件：1A工频电流或1.6Uc下，在规定时间内压敏芯片不发生热击穿的能力。 最大工频热稳定电压US：MOV能够在45min内达到热稳定（10min内温升小于2K）所容许施加的最大工频电压（飞舸提出，IEC已采纳）。;应用于SPD时应着重考核MOV芯片的哪些性能参数： 1.TOV过电压耐受能力； 2.加速老化寿命； 3.同等规格芯片的8/20μS通流能力(通流量、耐受次数、U1mA及IL的变化情况)； 4.同等规格、同等厚度芯片的限制电压水平。 5.对漏电流、α系数等不能表征MOV芯片性能的小电流参数没有必要苛求。国外如爱普科斯的MOV泄漏电流IL通常在10～30μA左右、 α系数在15～25左右，并不妨碍它成为业内的世界名牌。