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光刻技术及发展前景讲解教程
Photolithography;为什么要“重点”研究光刻?;为什么要“重点”研究光刻?;光刻概述 Photolithography;光刻技术的原理;光刻工序;1、清洗硅片 Wafer Clean;清洗硅片 Wafer Clean;2、预烘和底胶涂覆 Pre-bake and Primer Vapor;预烘和底胶蒸气涂覆;3、光刻胶涂覆 Photoresist Coating;实验室匀胶机;Photoresist Spin Coater;滴胶;4、前烘 Soft Bake;Baking Systems;5、对准 Alignment;6、曝光Exposure;7、后烘 Post Exposure Bake;8、显影 Development;Development Profiles;9、坚膜 Hard Bake;10、图形检测 Pattern Inspection;临界尺寸Critical Dimension;集成电路工艺所采用的光刻技术;
当22nm工艺节点来临之时,又将要会采用什么样的光刻工艺呢?;为什么22nm节点之后光刻就这么难?;听听来自工业界的声音!;最为活跃的193nm浸入式光刻;最为活跃的193nm浸入式光刻;前景光明的EUV极端远紫外光刻;前景光明的EUV极端远紫外光刻;前景光明的EUV极端远紫外光刻;前???光明的EUV极端远紫外光刻;其实各大厂商已经开始为EUV布局!;台积电公司订购ASML公司极紫外光刻系统Twinscan NXE3100;EUV技术在Intel的实战中取得成果;光刻技术面临的困难与挑战;但一切还远没有结束!
据Intel表示,11nm制程节点上该公司的光刻技术将采用多种光刻工艺互补混搭的策略,将193nm沉浸式光刻技术与EUV,无掩模光刻(maskless)等技术混合在一起来满足11nm制程的需求。
从Intel的计划路线图,我们可以看出,未来的11nm工艺可能会是多种工艺技术的混合应用,以便达到更加卓越的效果!
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