西北工业大学材料科学基础课件第五六七章选编.pptx

1;2;3;4;5;6;7;8;;10;11;12;13;14;15;16;17;18;19;;;问题;23;某些金属发生同素异转变时→扩散系数也随之改变。 ;;;27;28;29;第四节 扩散热力学分析;;;第五节 反应扩散;;;36;37;38;39;40;41;42;43;44;45;46;47;48;49;50;51;52;53;54;55;56;57;58;59;60;61;62;63;64;65;66;67;68;第五节 塑性变形对材料组织和性能的影响 ;70;71;;73;74;75;（2）织构;77;78;79;80;81;82;83;84;显微组织变化;86;88;89;第二节 回 复（Recovery） ;2.1 回复时组织性能变化 ;2.2 回复机制 ;2.2 回复机制;2.3 回复动力学 ;其它材料性能参量的回复过程也具有类似的热激活特征。设变形前（或完全退火态）材料的某一可测物性参量(如电阻率等)为P0，冷变形后为Pd，回复过程中其性能P和回复温度、时间满足如下动力学关系： ;同理，不同的温度下，回复到相同的程度所需时间可以表示为：; 去应力退火 降低应力（保持加工硬化效果） 防止工件变形、开裂，提高耐蚀性。;第三节 再结晶(Recrystallization);变化前后的晶粒成分相同，晶体结构并未发生变化，因此它们是属于同一个相。 再结晶不像相变那样，有转变的临界温度点，即没有确定的转变温度。 再结晶过程是不可逆的，相变过程在外界条件变化后可以发生可逆变化。 发生再结晶的热力学驱动力是冷塑性变形晶体的畸变能，也称为储存能。;3.2 再结晶形核;3.2.1 亚晶粒长大形核机制;b. 亚晶界移动机制 ;3.2.2 晶界凸出形核机制 ;和结晶形核方式类似，晶界弯曲后，一方面晶界的弯曲面因面积增加会增加界面能，另一方面形核区中原变形区内有应变能的释放 。;形核的临界条件是 ：;晶界凸出形核现象在铜、镍、银、铝及铝-铜合金中曾直接观察到。 ;变形晶粒晶界附近的原子移动到新的未变形晶粒上，从而可以减少变形应变能，新晶粒不断长大到相遇，最后全部为新晶粒，再结晶完成。 ;3.4 形核率和长大线速率的影响因素;粗大第二相杂质粒子存在于基体中时，塑性变形后在分界面会产生局部的点阵畸变很严重的区域，使邻近的第二相的基体中容易形核，促使形核率增大。 极为细小的二相粒子(1mm)，会阻碍位错重新组合形成胞壁，并阻碍胞壁移动已构成大角度晶界，因此形核极为困难，N大大降低。如烧结Al要加热到接近熔点才发生再结晶，就是这个道理。 金属的纯度及不溶性的弥散第二相质点对长大速率G也产生强烈影响。它们被吸附到晶界或亚晶界，阻碍晶界或亚晶界的运动，因此强烈阻碍晶粒的长大，降低G。;3.5 再结晶动力学 ;再结晶动力学决定于形核率N和长大速度G的大小。由于影响N、G的因素很复杂，Johnson和Mehl等人在假定均匀形核、球形晶核、N和G不随时间而改变的情况下，给出了恒温下再结晶转变分数XV和时间t的关系： ;应该指出，再结晶时长大速率和形核率都不能简单的看作为常数，因此Johnson-Mehl方程是不严格的。而应采用Avrami提出的经验方程式： ;再结晶过程也是热激活过程，达到同样的再结晶程度，也存在温度和时间的等效关系 ： ;3.3.4 影响再结晶的因素 ;加热温度愈高，再结晶速度愈快； 变形量大，弹性畸变能大，再结晶速度也快。变形量过小，形变储能不能满足形核的基本要求时，再结晶就不能发生。发生再结晶需要一定的变形量，称为临界变形量δC，大多金属材料的临界变形量在2—10%之间。 ;第四节 晶粒长大 ;4.1 正常的晶粒长大;1) 晶粒长大的动力;2) 晶粒长大的动力学;3) 晶界移动的规律;3) 晶界移动的规律;可溶解杂质及合金元素 　 溶质原子都能阻碍晶界移动，特别是晶界偏聚(内吸附)显著的原子，能有效降低晶界的界面能，拖住晶界使之不易移动，温度很高时，吸附在晶界的溶质原子被驱散，其拟制作用减弱乃至消失。 温度：晶界移动速率Ｇ可表示为：G=G0exp(-QG/RT)； G0为常数，QG为晶界迁移激活能。通常一定温度下晶粒长大到一定尺寸就不再长大了，提高温度晶粒会继续长大。;4) 影响晶界移动的因素;4) 影响晶界移动的因素;;; 讨 论：;4.3 晶粒的非正常长大 ;基本条件: 正常晶粒长大过程被(第二分散相微粒、织构） 强烈阻碍。 驱动力： 界面能变化。(不是重新形核);4.3 晶粒的非正常长大;第五节 再结晶后的组织 ;5. 1 再结晶温度 ;5.2 影响再结晶后的晶粒尺寸因素;退火温度和时间： 退火温度高，完成再结晶用的时间少，长大的时间就长，