μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟3.PDF

1 3 1 - 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 2 1 1 1 1 1 第 27 卷 　第 2 期 半 　导 　体 　学 　报 V ol. 27 　No. 2 2006 年 2 月 C HIN ES E J OU RNAL O F S EMICONDU C TO RS Feb. ,2006 0 13μm 射频 MOS 场效应晶体管特性及模拟 池毓宋 　黄风义 　吴忠洁 　张少勇 　孔晓明 　王志功 (东南大学无线电工程系 射频与光电集成电路研究所 , 南京 　210096) 摘要 : 采用 0 13μm CMOS 射频和混合信号工艺进行了射频 nMOS 场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作. 3 对制作的射频 器件进行了直流特性和 参数测试 测试结果表明射频 管的特征频率 达到了 - nMOS S , nMOS f T 923 G2Hz , f max 超过了 90 G Hz. 采用小信号等效电路模型对该 nMOS 管的交流特性进行了模拟. 在ν 100M Hz 到 30 G Hz 频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果. 关键词 : CMOS ; 射频 ; 小信号模型 ; 参数提取 EEACC : 2560S 中图分类号 : TN386 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 0253 4177 (2006) 02 0373 04 可以得到较大的跨导 , 而且避免了由于栅宽过大引 [ 3 ] 1 　引言 起多晶硅方块电阻急剧增加的窄线效应 , 减小了