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4.1 半导体三极管（BJT）;4.1.1 BJT的结构简介;4.1.1 BJT的结构简介; 结构特点：;4.1.2 BJT的电流分配与放大原理;载流子的传输过程
发射。
(2) 扩散和复合。
(3) 收集。 ;电流分配 ;2. 电流分配关系;根据;3. 三极管的三种组态;RL;+; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是：
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。;vCE = 0V;(3) 输入特性曲线的三个部分;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;4.1.4 BJT的主要参数;(2) 共发射极交流电流放大系数?
? =?IC/?IB?vCE=const; (3) 共基极直流电流放大系数
=（IC－ICBO）/IE≈IC/IE ; (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO
ICEO=（1+ ）ICBO ;(1) 集电极最大允许电流ICM;(3) 反向击穿电压; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。
输出特性曲线上的过损耗区和击穿区;4.1 BJT;4.2 共射极放大电路;4.2 共射极放大电路;2. 简化电路及习惯画法;4. 简单工作原理;4. 放大电路的静态和动态;4.2 共射极放大电路;4.2 共射极放大电路
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