太阳电池生产中的工艺控制综述.ppt

太阳电池生产中的 工艺控制点 ;;太阳电池性能分类检测过程中的关注点　;R= r1+r2;2. 太阳电池的等效电路;3. I-V曲线和P-V曲线;4. 并联电阻对I-V曲线的影响;5. 串联电阻对I-V曲线的影响;6. 烧穿和烧结不足时的I-V曲线;7. 温度对电池性能的影响;丝网印刷中的基本考虑　;对于很细的栅线的印刷可以通过使用腐蚀有印刷线图案的不锈钢片来代替丝网，开口线条处留有桥架加固，但这类网板很昂贵因而在生产中很少使用； 由于一方面要保证线宽尽可能地窄，而另一方面又要保证线条的横截面达到一定的数值，因此用于银栅线印刷的丝网板的乳胶层的厚度非常关键；;实验证明，只有当栅线的高度达到20微米左右时才能实现。但要注意，经过高温烧结，20微米高的银栅线会收缩到一半左右；另外，丝网印刷后经过高温烧结的银栅线的电导特性会比常规银材料差3倍左右； 银浆料与扩散有磷的硅的金属接触是太阳电池制作中的一个关键步骤并对电池的最终性能具有至关重要的影响。 ;2 铝浆的印刷;丝网版的设计对厚度控制非常重要。丝网密度和网线直径对浆料穿过丝网的难易程度有直接影响。作为决定印刷图案的模版是通过涂在网版上下两面的乳胶层来实现的。单层乳胶的厚度可以从1微米到超过30微米，更厚的要求通常是利用多层乳胶制备的。因此，影响所印铝浆的厚度的因素包括：丝网密度、网线直径、乳胶层厚度、印刷头压力、印刷速度以及浆料的黏性。;网版上表面的乳胶层厚度不需要很厚，但下表面乳胶层需要与要印刷的浆料一样厚。下表面乳胶层可防止印刷过程中印刷头将网线挤压过度而太靠近硅片表面。 通常，铝浆层的厚度需要至少在20微米。如乳胶层厚度太大，很难将浆料挤压穿过网版而到达硅片表面，除非浆料很稀或印刷头压力非常大，但这些极端情况一般不采用。 印刷头压力要足够大以将所期望的浆料数量挤过网版，但压力太高会导致网版及印刷头表面磨损。;至于印刷速度太慢会影响产能，而太快又不能挤压足够的浆料穿过网版。对于挤压一定量的浆料，通常是速度越快，所需的压力越高。 浆料黏性太高，挤压足够的浆料穿过网版所需的压力??会很大；而黏性太低，因浆料流动性太大印刷出的线条难以保持所设计的截面。 在全面积铝背场的印刷中，印刷头压力选择尤其重要。过高的压力会导致硅片中心区域印得太薄，因为在这种情况下，只是硅片的边缘有乳胶层，硅片中心区域网版要距离硅片近得多；过低的压力又不能挤压足够的浆料穿过网版，因而印得太薄。; 银栅线的烧穿;从尺度上讲，磷扩散的深度远小于1微米，而栅线至少是120微米宽。在烧结过程中，银会被驱入到掺磷的硅里，因而会减低银硅合金区域下的扩磷硅层的横向导电率。 如果银被驱赶得太深，因银硅合金区域很高的电阻率而使得其所在位置的PN结所收集到的电子几乎不能直接穿过该银硅合金区域，这就使得作为金属电极的银栅线对电子的收集只集中在栅线的边沿区域；而相比于银栅线与硅的总接触面积来说，边沿区域的接触面积只占大约1%。 ;由于银具有较高的功函数，银与硅的接触时很难实现欧姆接触。这个问题可以通过高浓度的磷扩散以防止银与N-型硅之间形成Schottky势垒从而实现欧姆接触。 然而，遗憾的是，最浓的磷扩散区域靠近硅片的表面。因此，如果银被驱赶得太深，一方面会使得高导电性的磷扩散区域被封闭；另一方面还会使得银与磷掺杂浓度较低的硅区域接触而形成Schottky势垒从而接触电阻很高。 ;因此，理想情况是在烧结中银被驱赶到硅中的深度尽可能地浅，但温度要足够高以实现从银浆到银金属的转变，而同时又使得银能够与硅充分地形成合金以获得必要的机械附着强度和确保SCHOTTKY势垒的去除； 温度过高的烧结会将银驱入到PN结区或PN结区以外的P型区域。当扩散不均应时，这种现象要特别引起关注。由于银本身的功函数较高，不会导致因穿过结区与P型硅衬底形成欧姆接触而短路。但是，会因为银浆料中的杂质扩散到结区耗尽层而使载流子复合大为提高，从而降低其性能。;总之，磷扩散工序有任何变化，就要重新优化银烧结条件。 顺便提到，介电膜如氮化硅等的采用，使以上要求更为保障。一方面，使得机械附着得到保障；同时，“死层效应”降低。当然，介电膜的厚度均匀性和成份均匀性要控制好。 ;2 银栅线的电阻检测;3 背面铝浆料的干燥;干燥后，在烧结过程中印刷浆料里的铝与硅形成硅/铝合金，并有一部分铝粉颗粒熔化而在硅片背面形成一层金属铝。 烧结过程不能太短以保证硅/铝合金的形成，也不能太长而消耗掉所有的铝。 铝在硅中是作为P型掺杂的，硅片背表面掺铝形成所谓的铝背场，可以减少金属与硅交界处的少子复合（降低暗饱和电流），从而提高开路电压和增加短路电流，特别是改善对红外光线的响应。;经过高温烧结后，将电池放置在模拟太阳