第三章半导体载流子统计分布案例.pptVIP

§3.1 载流子的统计分布函数及能量状态密度 §3.2 本征半导体的载流子浓度 §3.3 杂质半导体的载流子浓度 §3.4 简并半导体 ;1．什么是状态密度？为何引入状态密度的概念？(掌握) 2．如何确定k空间状态密度？导带底及价带顶状态密度是如何确定的？（掌握） 3．什么是费米分布函数？费米能级的物理意义是什么？（掌握） 4．什么是玻尔兹曼函数？何为简并与非简并系统？（掌握） 5．导带电子浓度与价带空穴浓度及其乘积按照什么公式计算？如何证明这些计算公式？（掌握） ;设能量在 间隔内有 个量子态，则量子状态密度为 物理意义： 在能量E处单位能量间隔所具有的量子状态数 理论意义： 本章研究的目的是预测载流子的浓度，也就是要解决导带有多少电子，价带有多少空穴。而要解决此问题，首先要解决导带量子态随能量的变化是怎样分布的，其次再解决电子是如何占据这些能量量子态的。解决前一个问题就必须引入状态密度函数，一旦该函数确定，量子态随能量如何分布的就知道了;k空间量子态密度（即单位k空间体积的量子态数）为2（V/8π3） 导带状态密度为（极值点在k=0，等能面为球面） 对实际的硅锗，等能面为旋转椭球面 价带顶： 对实际的硅锗是两个极值相重合的能带 ;（1）描述电子占据能级的几率函数 称为费米分布函数 （2）上式中的EF称为费米能级： 因此费米能级的物理意义是系统的化学势函数。 当T=0时，对于小于EF的所有能级被电子占据的几率1，大于EF所有能级被电子占据的几率为零 当T0时，对于小于EF的所有能级被电子占据的几率1/2，大于EF所有能级被电子占据的几率为1/2，对于等于EF能级被电子占据的几率=1/2;描述电子占据能级的几率函数为： 该函数称为玻尔兹曼分布函数，服从玻尔兹曼函数系统称为非简并系统，服从费米函数分布的系统称为简并系统。 适用范围： 特性：随E的增高，能级E被电子占据的几率呈指数地减少（均远小于1） ;导带电子浓度 价带空穴浓度 电子空穴浓度积为 ; 性质特点： （1）影响电子浓度和空穴浓度的因素是晶体结构、温度、费米能级三个因素 （2）随温度上升，电子和空穴浓度增加 （3）电子和空穴浓度的积与晶体结构和温度有关，与费米能级无关 （4）费米能级影响因素除了物质结构和温度外主要决定于掺杂情况 ;1．如何获得本征半导体的费米能级EF？为什么要强调了解费米能级距离禁带中线远近程度？（掌握） 2．如何获得本征载流子浓度？为什么一般不用本征半导体作半导体材料？（掌握） ;本征半导体：无杂质和缺陷的半导体称为本征半导体 建立电中性方程： 解得： 硅、锗、砷化镓，常温下费米能级在中线与中线之上1.5kT范围之内，其禁带宽度约40kT，所以，其费米能级在中线附近，可按非简并半导体处理。否则如果远离中线，则半导体须按简并半导体处理 ; 影响因素及其定性规律： 材料 不同材料 Nc Nv Eg 不同 温度 随温度的增长呈指数曲线增长;1.如何分析计算电子占据施主能级的几率及空穴占据受主能级的几率？(了解)如何计算施主与受主电离浓度?（掌握） 2．如何分析计算只含一种杂质时半导体材料载流子统计分布的特性？（掌握） 3．如何分析计算一般情况下载流子统计分布规律？（掌握） ;（1）可以证明：（对硅、锗） （2）施主与受主杂质的电离浓度 （3）特征 杂质能级与费米能级相同时，施主杂质电离1/3，受主电离1/5 当杂质能级与费米能级相差较大时，杂质几乎全部电离;以n型半导体为例，其求解步骤为： （1）建立电中性方程 （2）求解方程获得EF的方法：图解法、迭代法、简化分析法。 （3）简化分区分析求解方程;简化分区分析求解;简化条件： 求解结果： 结果分析： a. 低温区费米能级处于施主能级和导带底能级的中线附近，当温度趋于零时趋于中线。 b. 随温度升高费米能级在某个温度下极大。 c. 载流子浓度（主要是电子浓度）随温度呈指数曲线快速增长。 d. 通过测量电子浓度与温度的响应曲线可获得杂质电离能。 ;简化条件： 求解结果： 结果分析： a. 当温度上升杂质电离百分数较大时（通常可取10%），即可认为进入中间电离区 b. 中间电离区随温度上升，费米能级逐渐下降，使EF与杂质能级相等时，杂质电离1/3 c. 中间电离区随温度上升，杂质电离增长速度逐渐偏离低温区的指数曲线而变缓。 d. 一般地，当施主杂质电离大约90%可认为中间电离区结束进入下一个区。 ;简化条件： 求解结果： 结果分析： a. 一定浓度下，随温度升高费米能级逐渐下降，并向本征费米能级靠近 b. 一定温度下，参杂浓度越高，费米能级向导带靠近 c. 随温度上升，杂质全部电离(90%)的掺杂浓度越高 d.