《电工学》14秦曾煌主编第6版下册电子技术第14章.pptVIP

第十四章 半导体器件;第十四章 半导体器件;导 体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金 属一般都是导体。; 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;14.1.1 本征半导体;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构; 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理; 温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;14.1.2 N 型半导体和P 型半导体;一、N 型半导体;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;;P型半导体;P型半导体;－;PN结的单向导电性;一、PN 结加正向电压;二、PN 结加反向电压;总结：;一、基本结构：PN 结加上管壳和引线。;U;三、主要参数;3. 反向峰值电流 IRM;U; 二极管电路分析;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;例2：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ?;例3：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ?;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;U;符号 ;(1) 稳定电压 UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。;例1：已知：Uz = 12V，IZM = 18mA，R = 1.6KΩ。 试求：Iz = ? 限流电阻 R 的阻值是否合适？;14.5.1 基本结构;NPN型晶体管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;B;晶体管电流放大的实验电路 ;IB(mA);IC;晶体管内部运动 发射区向基区扩散电子 电子在基区扩散和复合 集电区收集从发射区扩散过来的电子;电流分配和放大原理;B;直流电流放大倍数：ICE 与 IBE之比;14.5.3 特性曲线;输入回路;一、输入特性曲线;IB(?A);二、输出特性曲线;IC(mA);IC(mA );输出特性三个区域的特点;(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE ? UBE ， ?IB IC;(3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。 UBE 死区电压，IB=0 ， IC=ICEO ?0 ;已知UCE=6V时：IB=40?A, IC=1.5mA 求? 和? 。IB=60 ?A, IC=2.3mA;三、主要参数;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4.集电极最大允许电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;§14.6 光电器件;结 束