DS89C430超高速闪存微控制器.PDFVIP

勘误表 DS89C430 超高速闪存微控制器 修订版 A3 勘误表 下面的勘误表列出了 DS89C430 修订版 A3 器件性能与预期值或数据资料描述不一致的情况。Dallas Semiconductor 将在随后的裸片修订版中纠正这些问题。 本勘误表仅适用于DS89C430 修订版A3 器件。修订版A3 器件在封装顶部印有一个yywwA3 样式的六位代码，其中yy 和ww两位分别表示器件的生产年份和周数。如需获得另一个DS89C430 裸片修订版的勘误表，请访问我们的网站 /errata。 1. 引导加载程序的整体擦除命令不能擦除选项控制寄存器 说明: 引导加载程序的整体擦除命令不能将 OCR 复位为 FFh，导致看门狗定时器上电复位缺省位如果先前被清零时， 将不能被置成 1。 补救措施： 如果看门狗定时器上电复位缺省位被清零，需要置 1 时，可以在应用程序中或并行编程模式下调用擦除选项控制 寄存器命令。 2. 晶振倍频模式对断电摆率的要求 说明: 晶振倍频模式 (CTM = 1) 下，微控制器可能在持续低电源电压 (0.4 VCC VRST) 时不能复位。 补救措施: 执行一次完整的关断 (VCC = 0) 过程清除这一问题。缺省模式下 (每个机器周期为 1 个时钟周期)，这一错误不会 发生，因此也不需要相应的解决方法。 使用晶振倍频器时，无论是 2X还是 4X模式， 在VCC电压降低到VRST之前，器件都必须恢复到缺省的sysclk/1 模 式，按照下面的步骤采用电源失效中断可达到这一目的： 1) 使用晶振倍频器前首先使能电源失效中断寄存器。可在 CTM 置位前任何时间将 EPFI (WDCON.5) 置位。 2) 0033h 处的第一条指令 (电源失效中断服务程序的起始地址) 必须是 ORL PMR, #80h。这条指令使晶振倍 频器无效，并将器件恢复成缺省的 sysclk/1 模式。如果需要，后面可以跟随用户自定义的电源失效中断服 务程序。如果没有用户自定义的电源失效中断服务程序，下一条指令应该是死循环。 1 of 2 REV: 040507 DS89C430 修订版 A3 勘误表 3. 使用外部存储器时 MOVC 指令不能正常工作 说明: 当 EA = 0 并且 MOVC 的目标地址，@A + PC，位于微控制器外部程序存储器时，下面的指令将不能正常工 作。 MOVC A, @A + DPTR MOVC A, @A + PC 补救措施: 在位于内部闪存的存储器上执行所有的