03模拟电子技术第章_2017.pptVIP

3 双极结型晶体管;一、三极管;二、结构;三、符号;(a)平面型(NPN);3.2双极晶体管的中载流子的运动规律;b;b;b;三、组态;共发射极组态;交流α和交流β;3.3 双极晶体管的大信号模型;由半导体物理可以知道，集电极电流为：;1 输入特性曲线;IC=f(VCE)? IB=const; 当VCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当VCE增大时，集电区收集电子的能力随之增强，所以iC随VCE 的增加而迅速增加。 当VCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后VCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与VCE轴基本平行的区域 。 由于基区宽度调变效应，输出特性曲线出现稍微的倾斜。;3 厄利电压;三极管的模型;二、大信号模型; 应用：共射电压放大;PNP型：;2 截止区;三极管工作状态的判断;3.4 双极晶体管的小信号模型;一、h参数等效电路（低频）;2、晶体管h参数的物理意义;求hre，表示三极管信号 反向传输能力;3、h参数等效电路;忽略hreVce（很小）; 4、T型等效电路 T等效模型是从物理 结构出发推导的。;发射结的交流电阻;可由输出特性曲线求rce，或由公式得到;h模型和T模型参数互换;二、π型等效电路（小信号、高频）