LED结构及原理讲述探析.ppt

红光LED结构：从上向下看，n型砷化镓基板、n型AlGaAs(大bandgap材料)、p型活跃层（小bandgap材料），即发光层，决定发光波长，1.42eV，850nm附近，红外范围，可以通过调整Al的含量，使之在红光范围发光；化合物半导体中增加Al，会使bandgap变大， p型AlGaAs (大bandgap材料) ，器件为双异质结构，即小 bandganp材料夹在2个大bandgap材料之间；随后是一层cap layer，介电层，电极。此图是长完累晶层后翻过来的结果，原因：基板是GaAs，1.42eV，发红外光，只要波长短于红外的光，它会吸收所有可见光，造成中间发光层发出的光全部被基板吸掉，至少有一半的光被吸掉，所以要翻过来，在基板上挖个洞，形成top-down方式。大部分LED都是面射型。;也是翻过来top-down，InP为基板，1.35eV,也会吸可见光，但图中为红外LED。 如何看出红外：InGaAsP：1.33-1.5eV，发光层是narrow bandgap材料，上下2个InP都是large bandgap材料，标准的双异质结，无需再衬底挖洞，让光出来。;没有翻过来，没有用到异质结构，简单的pn型， GaP:N是发光层，GaP:简介带隙，效率不高，2.26eV，接近绿光。;边射型LED,红光结构，双异质结，发光层为narrow bandgap材料，夹在2个large bandgap材料之间， 边射型发光不会太强，大部分光被基板吸掉。（1980年以前）;高亮度可见光LED;蓝绿光LED通常用2种基板：蓝宝石（有杂质时呈现蓝色，无杂质时是透明的），其bandgap很大，因此可见光不会被它吸收掉。;制造过程 结构特点（电极） 好处是什么;不用牺牲一部分发光区域，SiC基板导电。;早期红黄光LED;;None absorbing red yellow LED结构，假设是GaP基板; 电流不散开，集中在金属电极的下面，电流密度会非常高，致使光电转换效率下降（经验：物理曲线数值增大到一定程度，就会趋缓，达到饱和）。原因:可能是热效应，也可能是其它饱和效应，，使光电转换效率开始衰竭。因此，不希望在某个特定区域，电流密度太高。 如果电流无法散开，过于集中在金属电极区域，会使绝大部分的发光也集中在金属电极区域下方，当光打到金属接触区域时，会被挡住，使光线无法散开。 如何使光能够散开？;with window layer ;High Brightness Blue LEDs;此结构遇到一个问题：电流散不开，怎么办？ 电流都集中在p-contact下面，发出的光都在p-contact下面，是否可以加窗口层？; 无法加很厚的窗口层。原因：蓝宝石基板和GaN晶格不匹配，在1000度长完晶后，降温过程中，外延层开始弯曲，因此，上面的累晶层不能长太厚，事实上，其总厚度大约在5um以下，蓝宝石的厚度在大约300-400um之间；如果累晶层厚度超过10或20um，冷却后，弯到一定程度，累晶层就会裂开，因此，无法长很厚的GaN 窗口层，要解决此问题，必须想其他办法。 p-contact下面长一层特殊材料：会导电，又能透过可见光。 2种可能选择： A、仍然用金属，只是把金属变得很薄，但金属变薄后，出现新问题，其导电能力会迅速下降，电流散开的能力会随之降低。 B、ITO（透明导电材料）;High Brightness LEDs on CIE Chromaticity Diagram（RGBLED都包括） 高亮度LED在色坐标图中的标准位置; R,G,B三色LED的光谱分布图：红光LED的半高宽，即波长分布最窄；绿光LED半高宽较宽；蓝光LED的半高宽介于二者之间。 因为不是很理想的单一波长的光，因此不会刚好落在色坐标图边缘上。 红光的半高宽小，离边缘近； 绿光偏向中间，525、505、498nm，；另外，设计色坐标时，绿光被刻意拉大也是一个原因；蓝??也比较靠近边缘。 626,615,605,590……..为λp：最高强度所对应的波长。;LED芯片介绍;Led芯片的结构;目前主流Led结构剖析;两种芯片发光形式;水平型结构Led出光路线;垂直型芯片性能介绍;水平型芯片性能介绍;垂直芯片的制成;垂直芯片剖析;垂直LED制造的方法 ;四元DBR材料;MQW LED器件结构示意图;;左：p-type large bandgap 材料 右：n-type large bandgap 材料; 量子阱（QW）是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱。;多量子阱结构优势：;4、MQW使有源层变薄，避免了内部的自我吸收。