微机原理及接口技术第5章 存储器02综述.pptVIP

微机原理及接口技术 第5章 存储器;ROM： 在微机系统的在线运行过程中，只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器。 非易失性存储器，存放不经常修改的数据、程序等。;外存平均访问时间ms级： 硬盘：9～10ms 光盘：80～120ms 内存平均访问时间ns级： SRAM Cache：1～5ns SDRAM内存：7～15ns EDO内存：60～80ns EPROM存储器：100～400ns;2764芯片：8K×8bit 引线 A12～A0 D7～D0 CE：片选 OE：数据输出允许 PGM编程时：编程脉冲输入读时：“1”;连接;编程;27C040;工作方式;编程;编程;【例】利用2732和6264构成从00000H～02FFFH的ROM存储区和从03000H～06FFFH的RAM存储区。画出与8088系统总线的连接图。（不考虑板内总线驱动）;12;数据、地址、控制信号加驱动;数据、地址、控制信号加驱动（续）;位扩展;引线 A12～A0、D7～D0 CE 片选 0 0 OE 输出允许 0 1 WE 写允许 1 0 Ready/Busy 漏极开路;工作过程 读 写：① 按字节；② 按页;图5.24 EEPROM NMC 98C64A的写入时序 ;5.3 只读存储器（ROM） 二、E2PROM;连接使用P160，图5.25，将55H写满98C64的程序。;状态端口;START： MOV AX，lE00H ;段地址 MOV DS，AX ;地址范围：1E000～1FFFFH MOV SI，0000H ;地址指针 MOV CX，2000H ;共2000H个字节（8KB） ;（循环次数） GOON： MOV AL，55H ;要写入的内容55H MOV ［SI］，AL ;写入 CALL T20MS ;延时20ms INC SI ;地址指针加1 LOOP GOON HLT ;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;引线：与27C040兼容。;工作过程 读某单元的数据，同EPROM；其它情况：先写命令序列，按具体命令的要求进行操作，必要时还要读内部状态寄存器以判断其工作状态。 注意某些工作状态需要的电平。数据写入 → Vpp＝＋12V;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;5.3 只读存储器（ROM） 三、Flash memory;微机原理及接口技术 第5章 存储器;5.4 外存储器简介;5.4 外存储器简介;5.4 外存储器简介;5.4 外存储器简介 一、磁盘;5.4 外存储器简介 二、光盘;5.4 外存储器简介 二、光盘;5.4 外存储器简介 三、存储卡