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4-3不同氧化鋅介層厚度對薄膜特性影響
由討論4-1與4-2可得知AZO薄膜以塑膠基板的PC基板進行製程可得到最佳的電阻值為1.1×10-1Ω-cm,平均光穿透率(400~800nm)為91%。根據研究報告指出,AZO薄膜與塑膠基板之間會出現幾項問題
(1) AZO薄膜的晶格常數與基板的晶格常數不匹配
(2) AZO薄膜與塑膠基板熱膨脹係數不同
為了改善這些問題可於薄膜與基板之間加上介層改善這些問題,然而介層的選擇則以相同性質的介層為最佳,其原因在於薄膜與介層之間有相同的熱膨脹係數,這可避免因熱膨脹係數不同而產生界面間的應力造成晶格扭曲。
由研究報告指出於玻璃基板上沉積一層ZnO介層,再於介層上成長ZnO薄膜,發現薄膜的優先取向變好,晶粒尺寸也變大,其他研究報告也有於藍寶石基板上先成長ZnO薄膜做為介層,再於介層上成長ZnO薄膜,發現半高寬變窄且薄膜表面型態也獲得改善,故本研究於塑膠基板PC上,先成長一層不同膜厚的ZnO薄膜做為介層,再於介層上成長AZO薄膜,探討不同ZnO薄膜的厚度對AZO薄膜特性之影響。
4-3-1薄膜結晶結構與薄膜表面粗糙探討
圖4-19為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的XRD圖,AZO薄膜膜厚約為150nm,由圖可得知當ZnO介層厚度增加,ZnO的繞射峰(002)變佳,其原因為由於加上ZnO介層後,可降低AZO薄膜與塑膠基板間不匹配,且由於ZnO與AZO薄膜的晶格常數相近與優先取向皆為繞射峰(002),使得AZO薄膜繞射峰(002)變高半高寬變窄且結晶性變佳,但ZnO介層過薄無法產生效果,在於ZnO介層過薄無法有效的改善晶格不匹配帶來的影響,界面處由於晶格不匹配所產生的應力不能完全釋放,使其ZnO介層的效果不佳,故需適當厚度的ZnO介層才可改善AZO薄膜與塑膠基板晶格不匹配的現象。
圖4-19不同ZnO薄膜的厚度所量測之XRD圖
圖4-20為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的AFM圖,由圖可得知當加入ZnO介層後,其AZO薄膜表面的粗糙度並不會產生很大的變化,表示加入ZnO介層並不會使AZO薄膜表面變得粗糙。
(b)ZnO 10nm
(a)non-interlayer
Rms: 6.281nm Rms: 6.364nm
(c)ZnO 50nm
Rms: 6.464nm
圖4-20不同ZnO薄膜的厚度所量測之AFM圖
(a)non-interlayer (b)ZnO 10nm (c)ZnO 50nm
4-3-2薄膜電性與光學特性探討
圖4-21為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的電阻率,圖中可得知隨著介層厚度的增加電阻率隨之下降,原因為加入ZnO介層後,適當的ZnO介層厚度,可降低AZO薄膜與塑膠基板的晶格不匹配且可使薄膜內部的缺陷減少,進而降低薄膜中的載子散射,使載子濃度上升,降低電阻率,但過薄ZnO介層由於介層過薄無法有效的改善AZO薄膜與塑膠基板的晶格不匹配的現象,故效果不明顯的,然而當ZnO介層於100nm時,由於ZnO介層厚度增加使內應力隨之增加且製程時間過長造成AZO薄膜受到壓應力的影響導致薄膜出現嚴重裂痕,使載子濃度下降電阻率上升。
圖4-21不同ZnO薄膜的厚度所量測之電阻率
圖4-22為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的載子濃度與遷移率,圖中可得知ZnO介層為50nm時載子濃度為最佳,而ZnO介層為100nm時載子濃度卻降低,其原因為加上50nm的ZnO介層後,可改善AZO薄膜與塑膠基板的晶格不匹配的現象,使得薄膜內的缺陷減少,降低載子散射進而增加載子濃度,當ZnO介層為100nm時,由於當ZnO介層厚度增加,使薄膜的內應力隨之增加且製程時間過長造成AZO薄膜受到壓應力的影響,使得電阻率上升,導致載子濃度下降,於遷移率方面,由圖4-20可得知加上ZnO介層後,表面粗糙度變化不大,故遷移率也變化不大。
圖4-22不同ZnO薄膜的厚度所量測之載子濃度與遷移率
圖4-23為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的光穿透曲線圖,由圖可得知加上ZnO介層後,隨著ZnO介層厚度的增加,光穿透隨之降低且干涉也較多,其原因為由於加上ZnO介層後,薄膜厚度增加,使光進入薄膜後產生較多的干涉現象,未加上ZnO介層的AZO薄膜其平均光穿透率為91%,加上50nm的ZnO介層平均光穿透率也是為91%,表示加上50nm的ZnO介層不影響平均光穿透率,不過當加上100nm的ZnO介層則平均光穿透確降低至84%,其影響相當大。
由圖4-23可得知隨著ZnO介層厚度的增加,PC基板與玻璃基板皆往長波長移動且能隙變窄,也就是所謂的紅移現象,由文獻[37、38] 提到吸收係數α可由式4-5得到
T = A exp(-α.d)------式4-5
T:光穿
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