4-3不同氧化锌介层厚度对薄膜特性影响.doc

4-3不同氧化鋅介層厚度對薄膜特性影響 由討論4-1與4-2可得知AZO薄膜以塑膠基板的PC基板進行製程可得到最佳的電阻值為1.1×10-1Ω-cm，平均光穿透率(400~800nm)為91%。根據研究報告指出，AZO薄膜與塑膠基板之間會出現幾項問題 (1) AZO薄膜的晶格常數與基板的晶格常數不匹配 (2) AZO薄膜與塑膠基板熱膨脹係數不同 為了改善這些問題可於薄膜與基板之間加上介層改善這些問題，然而介層的選擇則以相同性質的介層為最佳，其原因在於薄膜與介層之間有相同的熱膨脹係數，這可避免因熱膨脹係數不同而產生界面間的應力造成晶格扭曲。 由研究報告指出於玻璃基板上沉積一層ZnO介層，再於介層上成長ZnO薄膜，發現薄膜的優先取向變好，晶粒尺寸也變大，其他研究報告也有於藍寶石基板上先成長ZnO薄膜做為介層，再於介層上成長ZnO薄膜，發現半高寬變窄且薄膜表面型態也獲得改善，故本研究於塑膠基板PC上，先成長一層不同膜厚的ZnO薄膜做為介層，再於介層上成長AZO薄膜，探討不同ZnO薄膜的厚度對AZO薄膜特性之影響。 4-3-1薄膜結晶結構與薄膜表面粗糙探討 圖4-19為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的XRD圖，AZO薄膜膜厚約為150nm，由圖可得知當ZnO介層厚度增加，ZnO的繞射峰(002)變佳，其原因為由於加上ZnO介層後，可降低AZO薄膜與塑膠基板間不匹配，且由於ZnO與AZO薄膜的晶格常數相近與優先取向皆為繞射峰(002)，使得AZO薄膜繞射峰(002)變高半高寬變窄且結晶性變佳，但ZnO介層過薄無法產生效果，在於ZnO介層過薄無法有效的改善晶格不匹配帶來的影響，界面處由於晶格不匹配所產生的應力不能完全釋放，使其ZnO介層的效果不佳，故需適當厚度的ZnO介層才可改善AZO薄膜與塑膠基板晶格不匹配的現象。 圖4-19不同ZnO薄膜的厚度所量測之XRD圖 圖4-20為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的AFM圖，由圖可得知當加入ZnO介層後，其AZO薄膜表面的粗糙度並不會產生很大的變化，表示加入ZnO介層並不會使AZO薄膜表面變得粗糙。 (b)ZnO 10nm (a)non-interlayer Rms: 6.281nm Rms: 6.364nm (c)ZnO 50nm Rms: 6.464nm 圖4-20不同ZnO薄膜的厚度所量測之AFM圖 (a)non-interlayer (b)ZnO 10nm (c)ZnO 50nm 4-3-2薄膜電性與光學特性探討 圖4-21為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的電阻率，圖中可得知隨著介層厚度的增加電阻率隨之下降，原因為加入ZnO介層後，適當的ZnO介層厚度，可降低AZO薄膜與塑膠基板的晶格不匹配且可使薄膜內部的缺陷減少，進而降低薄膜中的載子散射，使載子濃度上升，降低電阻率，但過薄ZnO介層由於介層過薄無法有效的改善AZO薄膜與塑膠基板的晶格不匹配的現象，故效果不明顯的，然而當ZnO介層於100nm時，由於ZnO介層厚度增加使內應力隨之增加且製程時間過長造成AZO薄膜受到壓應力的影響導致薄膜出現嚴重裂痕，使載子濃度下降電阻率上升。 圖4-21不同ZnO薄膜的厚度所量測之電阻率 圖4-22為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的載子濃度與遷移率，圖中可得知ZnO介層為50nm時載子濃度為最佳，而ZnO介層為100nm時載子濃度卻降低，其原因為加上50nm的ZnO介層後，可改善AZO薄膜與塑膠基板的晶格不匹配的現象，使得薄膜內的缺陷減少，降低載子散射進而增加載子濃度，當ZnO介層為100nm時，由於當ZnO介層厚度增加，使薄膜的內應力隨之增加且製程時間過長造成AZO薄膜受到壓應力的影響，使得電阻率上升，導致載子濃度下降，於遷移率方面，由圖4-20可得知加上ZnO介層後，表面粗糙度變化不大，故遷移率也變化不大。 圖4-22不同ZnO薄膜的厚度所量測之載子濃度與遷移率 圖4-23為不同ZnO薄膜的厚度成長AZO薄膜的光穿透曲線圖，由圖可得知加上ZnO介層後，隨著ZnO介層厚度的增加，光穿透隨之降低且干涉也較多，其原因為由於加上ZnO介層後，薄膜厚度增加，使光進入薄膜後產生較多的干涉現象，未加上ZnO介層的AZO薄膜其平均光穿透率為91%，加上50nm的ZnO介層平均光穿透率也是為91%，表示加上50nm的ZnO介層不影響平均光穿透率，不過當加上100nm的ZnO介層則平均光穿透確降低至84%，其影響相當大。 由圖4-23可得知隨著ZnO介層厚度的增加，PC基板與玻璃基板皆往長波長移動且能隙變窄，也就是所謂的紅移現象，由文獻[37、38] 提到吸收係數α可由式4-5得到 T = A exp(-α．d)------式4-5 T：光穿