4.太阳能工程-第四章.ppt

Chapter 4 - variety of?solar cells;Chapter 4 - variety of?solar cells;4-1?single crystal?silicon?solar cells; 4-1 single crystal?silicon?solar cells;4-1-1 Summary; Single-crystal silicon?solar cell characteristics;4-1-2 構造 – (1) 基本構造;光起電力效果之少數載體效應depletion region in PN junction;(2) 淺接合構造;(3) BSF(Back Surface Field)構造;含有BSF構造之太陽電池能階模式;2. 電極構造;BSR構造;3. 封存光之構造 (Light trapping) (1)By anti-reflection film(2)By texture surface or roughness;(1) 反射防止膜-2;(2)組織(Texture)構造-粗糙化(texture, roughness)by etching on the Si surface;4-1-3 單晶矽太陽電池之製作法;(1) 氣體擴散法;(2) 固相擴散法;(3) 離子注入法;BSR構造：;4. 光封存構造成形法;(2) 組織構造;4-1-4 單晶矽太陽電池之高效率化 1. 理論效率;太陽電池的光照射特性;2. 高效率化基本考量;(4) 再結合損失：生成之電子與正孔在表面或半導體內 再結合，則不產生光電流。 (5) 電壓因子損失：利用p-n接合時，最大可取得之電壓 為擴散電位，通常費米準位存在於禁制帶寬內，故 在相當於禁制帶寬之電壓以下。亦即，開放電壓較 低而造成損失。 (6) 曲線因子損失：半導體之電阻不為零及歐姆性接觸 部位之電阻為串聯電阻，此外理想之p-n接合沒有洩 漏電流。而現實上因為漏洩電流，使p-n接合上有並 聯電阻出現。故此項包含串聯及並聯電阻損失。 ;氧化物誘起之HL接合;NINP構造太陽電池;4-1-5 高效率單結晶矽太陽電池1. 平面型太陽電池 - (1) PESC;(1) PESC;(2) μg PESC;(3) PERC(passivated emitter rear cell)電池;(4) PERL(Passivated emitter rear rocally diffused);(5) 電極埋入式太陽電池;2. 大面積太陽電池;3. 集光型太陽電池;(1) 點接觸型;(2) 微細溝型(micro groove);Prismatic Cover之原理;4-1-6 今後的課題;4-2 多晶矽太陽電池; 4-2 多晶矽太陽電池;4-2 多晶矽太陽電池;4-2-1 多晶矽材料之形成;矽中金屬不純物及其大略容許量;轉換效率的結晶粒徑依存性;液相矽基板製造法;Silso製造裝置概略圖;電磁鑄造法之理論圖;S-Wed法原理;SCIM(silicon coating by inverted meniscus)法;RAFT(ramp assissted foil casting)法原理;Cast Ribbon法制備矽薄板;4-2-2 結晶粒界之電氣特性及不活性化 1. 結晶粒界的物性及光電特性;2. 粒界的特性評估法;單色光勵起電流像法(Monochromatic-lightbeam induced current，MBIC);4-2-3 接合構造及理論效率 1. 多晶太陽電池作動之理論解析;結晶粒界考量;結晶粒界的電荷狀態與太陽電池特性;高效率之結晶粒界的電荷狀態;2. 光封存及擔體(載子,carrier)封存;3. 各種高效率太陽電池構造;機械的V溝構造電池模式圖;3電極Bifacial電池之構造;BSNSC之構造;圖4-41 典型的厚膜多晶矽太陽電池製程;4-3 非晶矽太陽電池amorphous Si微晶矽micro crystal Siμc-Si;4-3 非晶系太陽電池 amorphous Si;4-3-1 conspectus;Amorphous silicon?solar cell?conversion efficiency?changes;4-3-2 Preparation?and properties?of?amorphous silicon;(1) Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)法;Capacity?bound Plasma E