- 1、本文档共18页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
5.4其它形式的功放电路简介
5.4 其它形式的功放电路简介;图 5 – 9 OTL电路; 调整激励级V1的静态工作点(改变电阻R1), 使B点电位UB约等于EC/2+0.7 V, 则UE=EC/2。 由于C2容量很大(大于200 μF), C2充放电时间常数远大于信号的半个周期, 所以在两管轮流导通时, 电容器两端电压基本不变, 恒等于EC/2。因此V2和V3两管的等效电源电压为EC/2, 这与图5 - 2(a)正负两组电源供电情况是相同的。 图5 - 9所示推挽电路的输出功率、效率、功耗等的计算方法与图5 - 2(a)电路的也完全相同, 只需用EC/2取代公式中的EC即可, 这里不再重复。图5 - 9所示电路又称为OTL(Output Trantsformer Less)电路。 ; 5.4.2 准互补推挽功率放大器
我们知道, 互补推挽功率放大器要求功放级NPN管和PNP管特性完全一致, 当要求放大器的输出功率很大时, 要找出一对特性完全对称的大功率NPN硅管和PNP锗管比较困难, 于是提出采用复合管来解决这一问题。
1. 复合管的构成
图5 - 10为复合管的两种形式。图(a)为两只NPN管等效为一只NPN管, 这种复合接法称达林顿接法; 图(b)V1为PNP管, V2为NPN管, 等效为一只PNP管, 可见复合管类型以第一个晶体管为准。在构成复合管时应保证两管的基极电流能流通。 第一管的C、E不能和第二管的B、E接在一起, 以免受发射结电压的钳制。 ; 图 5 - 10复合管的两种形式
(a)等效NPN管; (b)等效PNP管 ; 2. 准互补推挽电路
图5 - 11为一准互补OTL电路。 图中V1、 V3等效为NPN管, V2、 V4等效为PNP管。而V3、V4都是同型号管子, 不具互补性。 互补作用是靠V1、V2实现的, 它和完全的互补终究有些差异, 故称准互补。 ;图5 – 11 准互补OTL电路 ; 5.4.3桥式平衡功率放大器
对于便携式的设备(如收音机、 录音机等)来说, 通常采用单电源供电的OTL电路。为了获得足够大的输出功率, 需要高电压供电, 这就要携带较多的电池, 增加了重量。于是,输出功率与电源电压成为突出矛盾。为此, 人们研究出了低电压下能输出大功率的电路——平衡式无变压器电路, 又称BTL(balanced transformerless)电路, 其中文译名称为桥式平衡电路。
回顾一下推挽输出的两只大功率管, 不论是OCL电路还是OTL电路, 它们有一个共同点, 就是V1在“推”时, V2在休息; V2在“挽”时, V1在休息。 ; 也就是说“推”和“挽”不是同时工作的, 它们只是在不同的半周里互相“补齐”信号。可以设想, 若使管V1在扬声器一端“推”时, 另有一管V4在扬声器的另一端“挽”; 在V2“挽”时, 另一管V3“推”, 则输出情况将大大改观(见图5 - 12), 这就是BTL电路设计的出发点。
图5 - 12为桥式结构平衡式功率放大器原理电路。它由4只管子所组成, 静态时, RL上无电流流过。当输入信号Ui为正半周时,V1、V4导通。若忽略它们的饱和压降, 则负载RL上的输出电压幅度为EC; 当Ui为负半周时, V2、V3导通, 同样RL上的输出电压幅度为EC, 于是RL上得到的是完整的输出信号波形。在负载一定的条件下, BTL电路的输出功率可达OTL电路的4倍。 ;图 5 – 12 BTL原理电路 ; BTL电路虽为单电源供电, 却不需要输出耦合电容, 输出端与负载可直接耦合, 它具有OTL或OCL电路的所有优点。
上述BTL功率放大器可以用两组分立制作的OCL放大器组成。但这种结构所需元件数较多, 特别是需要4只大功率晶体管, 因此一般很少用分立元件来制作。对于集成功率放大器, 则可以充分发挥其接线简单的优点来组装BTL放大器。有的集成电路本身包含两个功率放大器,用一个集成块就可直接连成BTL电路, 其装配和调试都非常简单。 ; 5.4.4 场效应管功率放大器
1. VMOS功率场效应管
VMOS功率场效应管(简称VMOS管)是一种短沟道, 垂直导电型MOS功率器件。不同于第3章中介绍的平面水平沟道结构的MOS管, 由于在内部结构上采用了纵向沟道结构并设置有高电阻率的漏极漂移区, 其耐压能力、电流处理能力和工作频率均得到大大提高, 顺应了大功率器件的要求, 因而发展迅速, 应用领
您可能关注的文档
最近下载
- 一种重组肉毒杆菌毒素及其制备方法.pdf VIP
- 6万吨重型非标化工装备制造项目立项投资可行性论证分析报告.doc VIP
- 以生为本 探究成长——初中历史项目式教学应用分析-来源:文科爱好者(教育教学版)(第2022002期)-成都大学.pdf VIP
- 2.5跨学科实践:制作隔音房间模型 课件-人教版物理八年级上册第二章.pptx VIP
- 电气控制及S7-1200 PLC应用技术.ppt VIP
- 网渔网咖网鱼员工手册.pdf
- 胺碘酮药液外渗护理病历讨论ppt.pptx
- 初中英语课题中期研究报告(共10篇).docx
- 2024-2025学年江苏省宿迁市高三上学期第一次调研考试地理试卷含详解.docx
- 超星网课《汽车之旅》超星尔雅答案2023章节测验答案.doc
文档评论(0)