第三章半导体中载流子的统计.ppt

第3章 半导体中载流子的统计分布;热平衡状态 ;Ec;问题：热平衡时，求半导体中的载流子浓度? （对确定的材料,载流子浓度与温度有关,与掺杂有关.) [分别讨论本征半导体和杂质半导体] 途径：半导体中,允许的量子态按能量如何分布—求状态密度g(E) + 载流子在允许的量子态上如何分布—讨论分布函数f(E), ?从而得到载流子浓度n(T)及p(T);第3章 半导体中载流子的统计分布§3.1 状态密度;3.1.1 k空间中量子态的分布;3.1.2 状态密度;E是连续（准连续），求微分 导带底附近状态密度 价带顶附近状态密度 ;;2. 对于各向异性，等能面为椭球面 椭球面包含的量子态数 ;晶体对称性，极值附近对应椭球不止一个，若有s个对称椭球，导带底附近状态密度 硅锗半导体等能面为椭球面，即 ;则状态密度（必记） mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6 mdn =1.08m0 对于Ge，s=4 mdn =0.56m0 ;同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度 ;其中 mdp称为价带顶空穴状态密度有效质量 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0 ;3.2.1 导出费米分布函数的条件 ⑴把半导体中的电子看作是近独立体系,即认为电子之间的相互作用很微弱. ⑵电子的运动是服从量子力学规律的,用量子态描述它们的运动状态.电子的能量是量子化的,即其中一个量子态被电子占据,不影响其他的量子态被电子占据.并且每一能级可以认为是双重简并的,这对应于自旋的两个容许值. ⑶在量子力学中,认为同一体系中的电子是全同的,不可分辨的. ⑷电子在状态中的分布,要受到泡利不相容原理的限制. 适合上述条件的量子统计,称为费米-狄拉克统计.;3.2.2 费米分布函数和费米能级 热平衡时,能量为E的任意能级被电子占据的几率为;1. EF的确定 ⑴ 在整个能量范围内所有量子态被电子占据的量子态数等于实际存在的电子总数N,则有;第3章 半导体中载流子的统计分布§3.2费米能级和载流子的统计分布; 书中图3-3，随着温度的增加，EF以上能级被电子占据的几率增加，其物理意义在于温度升高使晶格热振动加剧，晶格原子传递给电子的能量增加使电子占据高能级的几率增加，因此温度升高使半导体导带电子增多，导电性趋于加强。;;3.2.3 波尔兹曼分布函数;对于空穴，EF-Ek0T时,; 为了计算单位体积中导带电子和价带空穴的数目,即载流子浓度,必须先解决下述两个问题: 1、能带中能容纳载流子的状态数目; 2、载流子占据这些状态的几率.;简并半导体和非简并半导体 非简并半导体：指导带电子或价带空穴数量少， 载流子在能级上的分布可以用波尔兹曼分布描述 的半导体，其特征是费米能级EF处于禁带之中， 并且远离导带底Ec和价带顶Ev。 简并半导体：是指导带电子或价带空穴数量很 多，载流子在能级上的分布只能用费米分布来描 述的半导体，其特征是EF接近于Ec或Ev，或者EF 进入导带活价带之中。;1、导带电子浓度;引入变数;若令;2、价带空穴浓度;导带和价带有效状态密度是很重要的量,根据它可以衡量能带中量子态的填充情况.如:nNC，就表示导带中电子数目稀少.把有效状态密度中的常数值代入后,则有:; 对于三种主要的半导体材料,在室温(300K)情况下,它们的有效状态密度的数值列于表4.2中.;3、载流子浓度的乘积;复 习;复 习;3.3 本征半导体的载流子浓度3.3.1 电中性条件;3.3 本征半导体的载流子浓度3.3.2 本征费米能级;实际上NC和NV并不相等,;3.3 本征半导体的载流子浓度3.3.3 本征载流子浓度; 表中列出室温下硅、锗、砷化镓三种半导体材料的禁带宽度和本征载流子浓度的数值.;3.3 本征半导体的载流子浓度3.3.4 电子和空穴浓度的另一种形式;3.4 杂质半导体的载流子浓度3.4.1 杂质能级的占据几率;半导体中两种典型的情况;⒈ 受主能级被空穴占据即受主未电离几率fA(E); 3. 施主能级上的电子浓度nD为; 4. 受主能级上的空穴浓度pA为;3.4 杂质半导体的载流子浓度3.4.2 n型半导体的载流子浓度; 杂质电离和本征激发是发生在不同的温度范围.在低温下，主要是电子由施主能级激发到导带的杂质电离过程.只有在足够高的温度下,本征激发才成为载流子的主要来源.; ⑴ 弱电离（温度很低时T数K，只有很少量施主杂质发生电离，这少量的电子进入导带，这种情况称为弱电离） 在温度很低的情况下，没有本征激发存在，电中性条件简化：;把得出的费米能级