第三章薄膜制备技术-溅射法.ppt

3.1 溅射基本原理 3.2溅射主要参数 3.3 溅射沉积装置及工艺 3.4 离子成膜技术 3.5 溅射技术的应用;溅射：荷能粒子轰击固体表面，固体表面原子或分 子获得入射粒子所携带的部分能量，从而使其射出的现象。 1852年Grove研究辉光放电时首次发现了溅射现象。 离子溅射：由于离子易于在电磁场中加速或偏转，荷能粒子一般为离子，这种溅射称为离子溅射。;离子轰击固体表面可能发生一系列的物理过程，每种过程的相对重要性取决于入射离子的能量。; 溅射镀膜过程：利用带电离子在电磁场的作用下获得足够的能量，轰击固体（靶）物质，从靶材表面被溅射出来的原子以一定的动能射向衬底，在衬底上形成薄膜。 阴极溅射：在实际进行溅射时，多半是让被加速的正离子轰击作为阴极的靶，并从阴极靶溅射出原子，所以也称此过程为阴极溅射。;溅射镀膜的优点： （1）对于任何待镀材料，只要能作成靶材，就可实现溅射 （2）溅射所获得的薄膜与基片结合较好 （3）溅射所获得的薄膜纯度高，致密性好 （4）溅射工艺可重复性好，可以在大面积衬底上获得厚度 均匀的薄膜 缺点： 相对于真空蒸发，沉积速率低，基片会受到等离子体的辐照等作用而产生温升。;在溅射过程中，大约95%的粒子能量作为热量而损耗掉，仅有5%的能量传递给二次发射的粒子。 在1kv的离子能量下，溅射出的中性粒子、二次电子和二次离子之比约为100:10:1。;靶材是需要被溅射的物质，作为 阴极，相对阳极加数千伏电压， 在真空室内充入Ar气，在电极间形成辉光放电。 辉光放电过程中，将产生Ar离子，阴极材料原子，二次电子，光子等。 ;等离子体 等离子体是一种中性、高能量、离子化的气体，包含中性原子或分子、原子团、带电离子和自由电子。 作用： 1、提供发生在衬底表面的气体反应所需要的大 部分能量 2、通过等离子刻蚀选择性地去处金属 ;?产生辉光放电 通过混合气体中加直流电压、或射频电压，混合气体中的电子被电场加速，穿过混合气体，与气体原子或分子碰撞并激发他们，受激的原子、或离子返回其最低能级时，以发射光（或声子）的形式将能量释放出来。 不同气体对应不同的发光颜色。 ;真空室;CHF2 radical;直流电源E, 提供电压V和电流I则 V = E - IR。 1、辉光放电过程包括 初始阶段AB：I=0 无光放电区 汤生放电区BC：I迅速增大 过渡区CD：离子开始轰击阴极，产生二次电子，又与气体分子碰撞产生更多离子 辉光放电区DE：I增大，V恒定 异常辉光放电区EF：溅射所选择的工作区 弧光放电：I增大，V减小 弧光放电区FG：增加电源功率，电流迅速增加 ; ;一、溅射阈和溅射产额 溅射阈指的是入射离子使阴极靶产生溅射所需的最小能量。 溅射阈与离子质量之间没有明显的依赖关系，主要取决于靶材料。 对大多数金属来说，溅射阈值在10-40eV范围内，相当于升华热的4-5倍。 ;一、溅射阈和溅射产额 溅射产额又称为溅射率或溅射系数，表示正离子撞击阴极时，平均每个正离子能从阴极上打出的原子数。 与入射能量，入射离子种类，溅射物质种类及入射离子的入射角度有关。 ;1. 入射离子能量的影响 只有入射离子能量超过一定阈值以后，才能从被溅射物质表面溅射出离子。 阈值能量与入射离子的种类关系不大，与被溅射物质的升华热有一定比例关系。 随入射离子能量的增加，溅射产额先增加，然后处于平缓（10Kev)，离子能量继续增加，溅射产额反而下降。;2 入射离子的种类和被溅射物质的种类 通常采用惰性气体离子来溅射，重离子的溅射产额比轻离子高，但考虑价格因素，通常使用氩气作为溅射气体。 用相同能量的离子溅射不同的物质，溅射产额也是不同的，Cu, Ag, Au产额高，而Ti, W, Mo等产额低。;3、离子入射角度对溅射 产额的影响;4. 合金与化合物的溅射 溅射产额一般不能直接由相应金属的值来确定。 自动补偿效应：溅射产额高的物质已经贫化，溅射速率下降，而溅射产额低的物质得到富集，溅射速率上升。最终结果是，尽管靶材表面的化学成分已经改变，但溅射得到的合金薄膜成分却与靶材的原始成分基本相同。 当靶的温度很高，各种合金成分由于热扩散发生变化时，溅射膜和靶材原来的组分就会发生变化。;二、溅射粒子的能量和速度 靶表面受离子轰击会放出各种粒子，主要是溅射原子（绝大部分是单原子）。 处于基态或不同激发态。 用100eV的Ar离子对多晶Cu靶进行溅射，溅射粒子中95%是Cu的单原子，其余是Cu分子。 随入射离子能量的增加，构成溅射粒子的原子数也逐渐增加。;二、溅射粒子的能量和速度 对化合物靶进行溅射时，情况与单元素靶相似。 当入射离子能量在