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光电子学期末报告 黄绿光磷化铝镓铟光学特性之研究 教师：郭艳光 教授 系级：物理研究所二年级 学号：8822203 学生：黄雅莲 大纲 1. 磷化铝镓铟材料介绍 2. 黄绿光的优点及应用 3. 磷化铝镓铟材料如何发出黄绿光 4. 黄绿光磷化铝镓铟发光二极管 5. 面射型雷射的优点及应用 6. 黄绿光磷化铝镓铟面射型雷射之DBR反射层 7. 参考文献 1. 磷化铝镓铟材料介绍 磷化铝镓铟(AlGaInP)材料，就其元素来看(见表01.)，是一个第五族的元素，加上三个第三族的元素，所共同组合而成的四元化合物；其材料的性质会随元素所占的比例不同而有所不同，一般我们为了清楚表示这种材料，所以给予一个通式：(AlxGa(1-x))yIn(1-y)P，其中[x×y]表示铝在第三族元素中所占的比例，[(1-x)×y]为镓所占的比例，而[1-y]则是铟所占的比例，三者加起来为1。以下就元素比例对材料特性的关系加以讨论及说明。 表01. 元素周期表。 1.1 基板 拥有合适的基板，是长出高质量光学组件的主要原因之一；所以当我们想拥有高质量的磷化铝镓铟光学组件，首先必须先找到晶格能和磷化物匹配，且最好是能导电的基板。由表02.中，我们可以看的出来，砷化镓的晶格常数介于磷化铟、磷化镓及磷化铝间，且当掺杂为1×1018(cm-3)时，电阻率仅为7.02×10-4 (?-cm) [1](半导体一般定义电阻率于10-2-109 ?-cm间，以下为导体，以上为绝缘体[2])；因此，砷化镓对磷化铝镓铟材料而言，是相当合适且难得的好基板。目前一般的磷化铝镓铟光学组件，不论波长为何，几乎都是使用砷化镓为基板，如短波长的可见光雷射[3]，及600nm[4]、610nm[5]、630nm[6]、680nm[7]的雷射二极管，或发黄绿光的发光二极管[8]、650nm的发光二极管[9] 等。 成分300K时的晶格常数975K时的晶格常数GaAs56.533 nm56.795 nmInP58.686 nm58.874 nmGaP54.512 nm54.729 nmAlP54.511 nm54.677 nm表02. 在室温(300K)及长晶温度(975K)下的晶格常数。[10] 另外，由表02.中，我们也可以发现磷化镓的晶格常数，和磷化铝的晶格常数几乎相等，这就表示，在磷化铝镓铟材料中的铝镓比例，并不太会影响整体的晶格常数，所以当我们想要来探讨整体的晶格常数时，只需考虑铝铟比或镓铟比便可。由图01.的(a)及(b)中，我们可以清楚的看到磷化镓铟中镓的比例，和磷化铝铟中铝的比例，对晶格常数的影响；为了使在室温及长晶温度下皆能接近于砷化镓基板的晶格常数，所以一般我们多半取铟的成分比例为50％，也就是我们常见的表示式：(AlxGa(1-x))0.5In0.5P。 图01. (a)磷化镓铟中镓的比例(b)磷化铝铟中铝的比例，对晶格常数的影响。[10] 1.2 能隙 磷化铝镓铟是由『磷化铝』、『磷化镓』、『磷化铟』三者，依照不同的比例所组合而成的，所以磷化铝镓铟的能隙，也和这三者的能隙有相当大的关系。表03.为过去部分文献中的能隙大小，虽不尽相同但都相差无几。 材料能隙(eV)-300K能隙(eV)-0KAlP2.45[1] (i)2.50[11] (i)~~~GaP2.26[1] (i)2.26[11] (i)2.25[12] (i)2.32[11]2.32[12]InP1.35[1] (d)1.35[11] (d)1.27[12] (d)1.42[11]1.42[12]表03. 磷化铝、磷化镓、磷化铟三者在室温(300K)及绝对零度(0K)下的能隙大小。(i)表示为间接能隙，(d)表示为直接能隙。 由表03.知磷化铝和磷化镓是间接能隙，磷化铟是直接能隙，且磷化铝铟(Al0.5In0.5P)是间接能隙，磷化镓铟(Ga0.5In0.5P)是直接能隙[10]；所以我们便可以推论，当(AlxGa(1-x))0.5In0.5P中铝的成分增加到某一定程度时，能隙会由直接转变成间接。而此四元化合物(AlxGa(1-x))0.5In0.5P的能隙大小，在各文献中，依旧不尽相同，以下列出几种不同的表示式，能量的单位皆为eV： 【1】[10] E?(x) = 1.91+0.61x , EX(x) = 2.19+0.085x 转变点：x=0.53 【2】[13] E?(x) = 1.89+0.67x 【3】[14] E?(x) = 1.985+1.22x , EX(x) = 2.282+0.17x 转变点：x=0.56 【4】[15] 转变点：x=0.63 【5】仿真软件PIC