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第八章 固态相变;第一节 固态相变
相变:指当外界条件如温度、压力等发生变化时,物相在某一特定条件下发生的突变。
相变表现为:
1)从一种结构转变为另一种结构。
2)化学成分的不连续变化。
3)物质物理性能的突变。; 三种基本变化:
①晶体结构的变化。
纯金属的同素异构转变、固溶体的多形性转变、马氏体相变
②化学成分的变化。
只有成分转变而无相结构的变化
③有序程度的变化。
合金的有序化转变,以及与电子结构变化相关的转变
;1、相界面 不同相晶体晶粒的界面。 按界面原子的排列特点,可分为共格界面、半共格界面、非共格界面。
(1)共格界面:两相晶格在界面上彼此完全衔接,错配度δ =(ɑβ- ɑα)/ɑ α〈0.05;
(2)半共格界面 δ大到一定程度时,相界面不能继续维持完全共格学要一系列调配错配度调节,0.05 ≤δ≤0.25;
(3??非共格界面 由于δ( δ﹥0.25)界面处两相原子无法配合。
;2、界面能 固-固相界面能比液-固相界面高 ,一部分同类键异类键的结合强度和数量变化引起的化学能,另一部分是由界面原子不匹配产生的点阵畸变能。
3、应变能 应变能包括共格应变能和体积应变能。
4、取相关系 固态相变时,为了降低母相与新相之间的界面能,新相的某些低指数晶面与母相的某些低指数晶面平行。
5、惯习面 固态相变时,为了降低界面能和维持共格关系,新相往往在母相的一定晶面上开始形成.这个与所生成新相的主平面或主轴平行的母相品面称为惯习面.
6、晶体缺陷 晶态固体中的空位、位错、晶界等缺陷周围因点阵畸变面储存一定的畸变能.新相极易在这些位置非均匀形核.它们对晶核的长大过程也有一定影响. ;弹性应变能: 大 中 小 界面能:小 中 大;二、固态相变的分类
1、按热力学分类
(1)一级相变 由ɑ相转变为β相时,Gα=Gβ μiα=μiβ,但自由焓的一阶偏导数不相等 ,有体积V和熵S的突变;(2)二级相变
由ɑ相转变为β相时,
Gα=Gβ,μiα=μiβ,
自由焓的一阶偏导数相
等 ,但自由焓的二阶偏
导数不相等, 无体积效
应和热效应
;2、按原子迁移情况分类,可将固态相变分为扩散型相变和非扩散型相变
(1)扩散型相变 依靠原子(或离子)的扩散的相变,例如脱溶沉淀、调幅分解、共析转变等;
(2)非扩散型相变 原子(或离子)尽作有规律的迁移使点阵发生改组的相变。
;;3、按相变方式分类可将固态相变分为有核相变和无核相变:
(1)有核相变:通过形核-长大两个阶段进行的相变;
(2)无核相变:通过扩散偏聚方式进行的相变。;三、固态相变的形核
晶核的形成可分为均匀形核和非均匀形核
(1)均匀形核 固态相变的驱动力是新相与母相间的自由焓之差,阻力包括界面能和应变能。形成半径r的晶核时,系统自由焓的变 为:
形核率:;2、非均匀形核
(1)晶界形核 界面形核时自由焓的变化
;由图8—5可知.晶核最易在界隅形成,其次是界棱,最后是界面.;(2)沿位错形核
位错沿位错形核后,位错消失而释放出畸变能,为形核提供能量。;沿位错形核的特点:
(1)刃型位错比螺型位错更为有利;
(2)较大柏氏矢量的位错促进形核的作用更为有效;
(3)在位错结和位错割阶处易于形核;
(4)单独位错比亚晶界上的位错对形核更为有效;
(5)小角度晶界或亚晶界上惯习面选择性形核;;四、晶核的长大
1、晶核的长大方式
按原子的运动规律可分为:
(1)非协同型长大 原子移动无序
;(2)协同型长大 母相原子有规则的向新相运动;2、晶核长大的控制因素
根据晶核的长大方式及母相和新相的化学成分的变化情况,可将固态相变长大分为4类:
①成分不变协同型长大;
②成分不变非协同型长大;
③成分改变协同型长大;
④成分改变非协同型长大 。
晶核长大的控制因素依相变温度和扩散类型而定:
(1)相变温度较高时,原子扩散速率较快,但过冷度和相变驱动力较小,晶核长大速率的控制因素是相变驱动人;
(2)相变温度较低时,过冷度和相变驱动力较大,原子的扩散速率将成为晶核长大的控制因素。
;3、受界面过程控制的晶核长大;(2)过冷度较大时,
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