等离子体对X.PDFVIP

第!卷!第#期 半!导!体!学!报 6789!!)79# !$$%年#月 ()*+*,-./)01 -2+*3(-)4.5-/+ ,:;9!!$$% 等离子体对XS 工艺 RO3器件的损伤 唐!瑜!郝!跃!孟志琴!马晓华 #西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室!西安!%#$$%#$ 摘要研究了等离子体工艺对f$;G 铜大马士革工艺器件的损伤9对 ;3-+2*5 和 @3-+2*5 分别进行了 (和 )d5(应力实验!实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大!并从通 孔刻蚀工艺过程中解释其原因9 关键词等离子体损伤天线结构通孔铜大马士革工艺 44B11!JJ$2!JN$ 中图分类号5)\M!!!!文献标识码0!!!文章编号$!JMU\#%%#!$$%$$#U$$f!U$\ 天线结构!如图#所示9 G!引言 随着 61+(芯 片 尺 寸 不 断 减 小 和 速 度 不 断 提 高!功耗的问题也越来越严重!与此同时加工的复杂 性迅速增加!使得等离子工艺已经成为现代大规模 ( 制造工业不可缺少的部分!更细的线条和更好的 图形对加工工艺的严格要求!使高密度等离子技术 的应用越来越重要9但是!基于等离子技术的工艺容 易在加工过程中在导体层面上集聚电荷9实验数据 表明!这种电荷的积累会影响薄栅氧化层的性能!使 图#!天线结构示意图!#:$金属天线#W$通孔天线 栅氧的各种电学参数如氧化层中的固定电荷+界面 2BC[#!+KFG:EBKAB:C=:G 7O:;E;;:?E=DKED=! #:$ 态密度+平带电压及栅漏电流等退化!严重时甚至会 3E:8?E=DKED=#W$6B:?E=DKED= 造成器件 的 失 效!这 被 称 为2天 线 效 应3#也 被 称 为 金属天线采用 3#和 3!#即天线加在第#和第 2等离子导致栅氧损伤3$#(9另外对器件的可靠性也 !层金属上$两种结构!通孔天线 则 采 用 3#%6B:#% 产 生 重 大 影 响!如 ;3-+2*5 热 载 流 子 可 靠 性 3!#天线加在 第 # 层 层 间 介 质上!以 下 简 称 6B:#$ # $!!M( 和 负 偏 压 不 稳 定 性 # @3-+2*5 )dU 结构 天线比有 种!分别为 和 !金属天线 ( 9 ! \$$ \$$$ 5($\%N 9本 文 分 别 对 ;3-+2*5 和 @3-+2*5 施 的周长分别 为 \!$ 和 \!$$G9通 孔 天 线 上 分 别 有 加 (和 )d5(应 力来研