13低频电子电路第一章探析.ppt

第一章 半导体基础元件 与非线性电路;概 述;三层次的半导体元器件;三层次的半导体元器件;第3层 多类型半导体材料的复杂组合 --------半导体的信号处理功能;　　1. 导体：电阻率 ? 10-4 ? · cm 的物质。如铜、银、铝等金属材料。;无杂质的---本征半导体;1　硅和锗晶体的共价键分析法;本征半导体;+4; 激发（本征激发）;　　当原子中的价电子层失去电子时，原子的惯性核带正电，可将其视为空位或空穴，带正电。;　在半导体整体平台中，电子运行轨道可以采用对应的电子能量来表示，因此，有了物质的电子轨道的能级图和能带图。;　　电子在同一能带中不同能级间的运动变迁较为容易；跨能带的运动变迁必需通过能量的较大吸收或释放，即由此跨越禁带来实现。;温度一定时： 激发与复合在某一热平衡值上达到动态平衡。;1. 半导体中两种载流子; 半导体的电导率;漂移与漂移电流;1.1.2　杂质半导体的结构; N型半导体：; P 型半导体; 综上所述，在杂质半导体中，因为参杂，载流子的数量比本征半导体有相当程度的增加，尽管参杂的含量很小，但对半导体的导电能力影响却很大，使之成为提高半导体导电性能最有效的方法。;注： N型半导体杂质浓度； P型半导体杂质浓度;晶体二极管结构及电路符号：;　　载流子在浓度差作用下的运动称扩散运动，所形成的电流称扩散电流。; PN结; PN结中载流子的运动;2. 扩散运动形成空间电荷区;3. 空间电荷区产生电场 —— 内电场;4. 漂移运动;5. 扩散与漂移的动态平衡;阻止多子扩散; PN 结的载流子分布; 内建电位差（电量描述）：;1.2.2　有电压时PN 结的导电能力;1.2.2　有电压时PN 结的导电能力;; PN 结——伏安特性方程式（; PN 结——伏安特性曲线（;;T ? ? V(BR)?;T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移;3 PN 结的电容特性;(a) PN 结加正向电压;　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 V 而变化，因此势垒电容 CT 不是一个常数。其曲线如图示。; 扩散电容 CD ;; PN 结电容;1.2.3 四种常见二极管; 其中P型和N型半导体为单一类型半导体，存在体电阻。其阻值取决于半导体温度和PN结以外的几何尺寸。 ;51; 结构：“PN 结+单一半导体”构成;普通二极管的电阻特性;普通二极管参数;①点接触型： 结面积小，结电容小 故结允许的电流小 最高工作频率高; 利用 PN 结的反向击穿特性专门制成的二极管。; 　　1. 外加电源的正极接管子的 N 区，电源的负极接 P 区，保证管子工作在反向击穿区；; 光电二极管属于光生伏特效应器件中与半导体有关的两端元件。;将PN结上的能耗有效地转换成光强发射出来的特种二极管。;1.3　半导体非线性电路的分析基础; 电路分析均是建立在特定等效模型基础上的分析，所得 结论均是近似结论。只是不同模型的计算误差不同，因 此结论可划分为定性和定量两类。一般说来，复杂模型 对实际物理特性的逼近更精准一些。 ;1.3.1　电阻特性分析初步与工程分析概念;2. 二极管电阻特性的近似模式 ;⑵ 直折线近似模型 ;i;i;;;注意：高频电路中，需考虑 Cj 影响。因高频工作时， 　　　Cj 容抗很小，PN 结单向导电性会因 Cj 的交流 　　　旁路作用而变差。;　　一般来说，往往会根据实际的需求来选用元器件模型。其中，简单模型有利于工程上近似快速分析，也适用于手工计算的需要；复杂模型则比较适合计算机分析，也方便进行数值分析对比，以利于电路的最终工程实现和优化。;已知：;结果：;2．电位平移电路目标与二极管运用;简单分析：; 依据高等数学的泰勒级数，即;;1.4　半导体非线性电路的近似分析与电路系统设计的关系;1.5　低频电子电路的学习;作业： 1 - 3、1 - 5、1 - 6、 1 - 13、1 - 15。;例1：已知电路参数和二极管伏安特性曲线， 试求电路的静态工作点Q电压和电流。;例2：设二极管是理想的，求VAO值。;分析思路;上例中：如果二极管不是理想的，求V-I特性如下;例3：设二极管是理想的，vi =6sin?t(V)，试画vO波形。;例4： 限幅电路(或削波电路）