光电导器件讲义.pptVIP

光电探测器是一种能够将光的信号转换为电的信号的半导体器件。光探测器的工作包括三个步骤： ①由入射光产生载流子； ②通过任何可行的电流增益机制，使载流子传导及倍增；③电流与外部电路相互作用，以提供输出信号。 ;光电导效应原理（半导体材料的体效应）——光电导探测器 ——光照下改变自身的电阻率（光照愈强,器件自身的电阻愈小） ——光敏电阻（光导管） 本征型光敏电阻 —— 一般在室温下工作，适用于可见光和近红外辐射探测 非本征型光敏电阻—— 通常在低温条件下工作，常用于中、远红外辐射探测;在电路中的符号; 用于制造光敏电阻的材料主要是金属的硫化物、硒化物和碲化物等半导体。通常采用涂敷、喷涂、烧结等方法在绝缘衬底上制做很薄的光敏电阻体及梳状欧姆电极，然后接出引线，封装在具有透光镜的密封壳体内，以免受潮影响其灵敏度。光敏电阻的原理结构如右图所示。在黑暗环境里，它的电阻值很高，当受到光照时，只要光子能 量大于半导体材料的禁 带宽度，则价带中的电 子吸收一个光子的能量 后可跃迁到导带，并在 价带中产生一个带正电 荷的空穴，这种由光照 产生的电子—空穴对增 加了半导体材料中载流;子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下 降。光照愈强，阻值愈低。入射光消失后，由光子激发 产生的电子—空穴对将逐渐复合，光敏电阻的阻值也就 逐渐恢复原值。 在光敏电阻两端的金属电极之间加上电压，其中便有电流通过，受到适当波长的光线照射时，电流就会随光强的增加而变大，从而实现光电转换。光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时既可加直流电压，也可以加交流电压。 ;; CdS和CdSe（ 2.42、1.7 ev ） 低造价、高可靠、长寿命、可见光辐射探测器 光电导增益比较高(103～104) 响应时间比较长(大约50ms) 广泛用于自动化技术和摄影机中的光计量。 PbS（常温下禁带宽度为0.41eV） 近红外辐射探测器 波长响应范围在1～3.4μm，峰值响应波长为2μm 内阻（暗阻）大约为1MΩ 响应时间约200μs 广泛用于遥感技术和武器红外制导技术 InSb(锑化铟，室温下禁带宽度为0.18eV) 近红外辐射探测器，室温下，噪声大。在77k下,噪;HgxCd1-xTe探测器 化合物本征型光电导探测器,它是由HgTe和CdTe两种 材料混在一起的固溶体,其禁带宽度随组分x呈线性变化 当x=0.2时响应波长为8～14μm,工作温度77k，用液 氮致冷。;1)暗电阻、亮电阻 光敏电阻在室温和全暗条件下测得的稳定电阻值称为暗电阻，或暗阻。此时流过的电流称为暗电流。例如MG41-21型光敏电阻暗阻大于等于0.1M。 光敏电阻在室温和一定光照条件下测得的稳定电阻值称为亮电阻或亮阻。此时流过的电流称为亮电流。MG41—21型光敏电阻亮阻小于等于1k。 亮电流与暗电流之差称为光电流。 显然，光敏电阻的暗阻越大越好，而亮阻越小越好，也就是说暗电流要小，亮电流要大。这样光敏电阻的灵敏度就高。 ; 2)光谱特性 对于不同波长的入射光，光敏电阻的相对灵敏度是不相同的。各种材料的光谱特性如下图所示。从图中看出，硫化镉的峰值在可见光区域，而硫化铅的峰值在红外区域，因此在选用光敏电阻时应当把元件和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的结果。; 3)光电特性 光敏电阻的光电流与光照度之间的关系称为光电特性。如图2-3所示，光敏电阻的光电特性呈非线性。前面所讲的光电转换定律表达式是理想情况的转换关系式。考虑到许多实际因素，光敏电阻的光电特性并非呈线性; 实际上，光敏电阻在弱辐射到强辐射的作用下，它的光电特性可用在“恒定电压”作用下流过光敏电阻的电流Ip与作用到光敏电阻上的光照度E的关系曲线来描述。 ;显然，当照度很低时，曲线近似为线性，Sg由式（1-85）描述；随照度的增高，线性关系变坏，当照度变得很高时，曲线近似为抛物线形，Sg由式（1-87）描述。;;4)伏安特性 在一定照度下，光敏电阻两端所加的电压与流过光敏电阻的电流之间的关系，称为伏安特性。光敏电阻两端电压为： ;式中负号表示光照增大，亮阻减小，电流增大。同时，电流变化，引起光敏电阻两端电压的变化：;缺点之三：光敏电阻的响应频率比较低，响应时间长。 原因分析：忽略了极间电容的影响，当入射光功率变化频 率较高时，等效电容不能省去。并且为了获得大的电流， L尺寸小，使得极间电容较大。;代入 得偏置电压：;由于不同材料的光敏电阻时延特性不同，所以它们的频率特性也不相同