第九章.离子化合物的结构化学(教案).doc.doc

PAGE  PAGE 6 第九章 离子化合物的结构化学 （4学时） 教学目的 1、了解离子键的特点、点阵能的定义及计算 2、掌握简单离子晶体的结构，并根据r+ / r?能够确定其理想构型 3、掌握结晶化学定律， 4、理解离子半径的含义，了解几种典型的离子半径 教学重点 1、简单离子晶体的结构，及其相关的计算 2、根据确定离子晶体的理想构型+ ? r / r 3、结晶化学定律 教学难点 不等径球的堆积方式，及其球数与空隙数比的确定 教学方法 1、讲授为主 2、通过实例引出概念、定义 3、结合教师的课堂提问 考核知识点 1、点阵能的定义及计算 2、对于CsCl、NaCl 型离子晶体 (1)负离子堆积方式 (2)正离子钻入负离子堆积空隙的种类 (3)正负离子的配位数比 (4) 与晶胞参数的关系+ ? r +r 3、结晶化学定律 4、如何判断离子晶体的理想构型 离子化合物是指由正负离子结合在一起形成的化合物，它一般由电负性较小的金属元素与电负性较大的非金属元素构成。离子化合物种类繁多，结构复杂，但也有一定的规律性。 §9-1 离子键及典型离子晶体结构 一、离子键的特点 在离子化合物中，由于金属原子价电子数少，受核吸引小，容易失去形成M n+，非金属价电子多，电子亲和能大，容易得到电子形成χ m?，这样，正负离子通过静电引力形成离子键，所以离子键的本质是库仑力。离子键—正负离子通过库仑作用结合在一起，这种化学键称为离子键。 通常正负离子都具有球形对称的电子云，故离子键也和金属键一样，没有方向性和饱和性。离子键向空间各方向发展，即形成离子晶体。离子化晶体中，正负离子也采取密堆积方式，但与金属晶体不同的是由于负离子较大，正离子较小，其结构可以看成是不等径圆球密堆积。其堆积方式是：正、负离子各与尽可能多的异号离子接触，以使体系的能量尽可能低，从而形成稳定结构。具体处理时可以按负离子先进行密堆积，正离子填充其中的空隙。 二、几种典型的离子晶体的结构 离子晶体的结构多种多样，而且有的很复杂，但复杂离子晶体的结构一般 都是典型的简单结构型式的变形。 ⒈CsCl 型 ⒉NaCl 型：立方面心复晶胞 ⒊立方ZnS （闪锌矿）：立方面心复晶胞 ⒋六方ZnS （纤维锌矿）：六方复晶胞 属于六方ZnS 结构的化合物有：Al、Ga、In 的氮化物，一价铜的卤化物，Zn 、Cd、Mn 的硫化物、硒化物。立方ZnS 和六方ZnS 是非常重要的两种晶体结构, 已投入使用的半导体除Si、Ge 单晶为金刚石型结构外，III-V 族和II-VI 族的半导体晶体都是ZnS 型，且以立方ZnS 型为主，例如：GaP, GaAs, GaSb，InP, InAs , InSb, CdS, CdTe, HgTe。 ⒌CaF2 型（萤石） 与立方ZnS 类似，ZnS 中两个体对角线上方1/4 处有两个Zn2+，另外两个体对角线下方 1/4 处有两个Zn 2+，而CaF2中四个体对角线上、下 1/4处各有四个F ?，共八个。CaF2的结构可看作Ca2+采取A1 型最密堆积，F ?填充在全部八面体空隙。 ⒍TiO2 型（金红石） O2?近似按立方 A1 型堆积，Ti 4+填充到变形八面体空隙中（占有占据率50%）, O2?的配位数为 3，Ti 4+的配位数为 6。TiO2 为四方简单点阵，结构单元为2 个TiO2。 §9-2 离子键理论 离子键的强弱可用点阵能的大小来表示，点阵能又称晶格能或结晶能。 一、点阵能（U）的定义及计算⒈点阵能的定义 在 0K 时，将互相原离的气态正、负离子结合成 1mol离子晶体时所放出的能量，称为该晶体的点阵能（晶格能）。 若用化学式表示，点阵能相当于下边反应的内能改变。 U (点阵能)的负值越大，表明离子键越强，晶体越稳定，熔点越高，硬度 越大，膨胀系数小。 点阵能与键能的差别：键能的定义为在298K 时，下列反应的能量变化(键 能一定是正值) ⒉点阵能的计算 ⑴ 利用热化学循环计算（玻恩-哈伯循环） 按点阵能的定义式直接进行实验测定U 比较困难，Born 和Haber 根据热 力学第一定律设计热力学循环求点阵能。 ⑵利用玻恩—朗德理论计算 玻恩和朗德假设离子晶体中的作用力主要是库仑力，并根据库仑定律从理 论上导出了计算点阵能的公式。 ⒊影响点阵能的因素 ⒋点阵能的应用 利用点阵能的数据和热化学原理，可以得到很多有用的物理量。如：电子 亲和能，质子亲和能，离子的溶剂化能等数据。特别是用点阵能来讨论固相复 分解反应，可以得到一个十分有用的普遍性结论。 ⑴点阵能与化学反应 例如，对固相复分解反应： KF + LiBr → KBr + LiF 按照热力学定律，在等温等压下，吉布斯(Gibbs)自由能的变化为： ΔG = ΔH ?TΔS = (ΔU