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金-半非整流接触（欧姆接触）及二极管的特点和应用;金属-半导体接触;这是由于金属的功函数（Wm）、费米能级（(EF)m）和半导体的功函数（Ws）、费米能级（(EF)s）不同，当金属和半导体接触时会形成表面势垒造成的。而具体是那种情况跟Wm和Ws的大小以及半导体是n型或p型有关。 上述两种情况在实际应用中都有用到之处,前者可用来作欧姆接触（非整流接触），后者可用来制作肖特基势垒二极管（整流接触）。;欧姆接触;如何实现欧姆接触;图1 积累层的能带图;同样的分析方法可知,当金属和P型半导体接触时,若P型半导体的逸出功小于金属的逸出功，便在P型半导体表面附近形成空穴的积累层，从而也表现出高导电、无整流的特性。这样看来，选用适当的金属材料，就有可能得到欧姆接触。 值得注意的是，在上面的分析中,我们都基于一种简化的理想状态，即将金属和半导体相接触所出现的四种情况只决定于逸出功，实际上，表面势垒的形成还和半导体表面能态的性质及密度有关。;像Ge、Si、GaAs这些最常用的半导体材料，一般都有很高的表面态密度，无论是N型材料或P型材料与金属接触都形成势垒，而与金属功函数关系不大。 因此，不能用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。目前，在生产实际中，主要是利用隧道效应的原理在半导体上制造欧姆接触。;因为重掺杂的P-N结可以产生显著的隧道电流。金属和半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变得很薄，电子也要通过隧道效应贯穿势垒产生相当大的隧道电流，甚至超过热电子发射电流而成为电流的主要成分。当隧道电流占主导地位时，它的接触电阻可以很小，可以用作欧姆接触。因此，半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触。;接触电阻定义为零偏压下的微分电阻，即;制作欧姆接触最常用的方法是用重掺杂的半导体与金属接触，常常是在N型或P型半导体上制作一层重掺杂区后再与金属接触，形成金属-N+-N或金属-P+-P结构。由于有N+、P+层，金属的选择就比较自由。形成金属与半导体接触的方法也有多种，例如蒸发、溅射、电镀等等。;肖特基二极管;肖特基二极管的结构;这些条件??靠近周边的半岛体耗尽区建立一高电场，导致在拐角处有过量电流。这种拐角效应除了产生软的反向特性和低击穿电压之外还造成低劣的噪音特性。;;;;;;肖特基二极管的特点;这种注入的非平衡载流子的积累成为电荷存贮效应，它严重地影响了P-N结的高频性能。而肖特基二极管的正向电流，主要是由半导体中的多数载流子进入金属形成的。它是多数载流子器件。例如对于金属和N型半导体的接触，正向导通时，从半导体中越过界面进入金属的电子并不发生积累，而是直接成为漂移电流而流走。因此，肖特基二极管比P-N结二极管有更好的高频特性。;;肖特基二极管的应用;;;又例如，掺杂浓度约为5×1015cm-3的N型外延硅衬底与PtSi接触，经钝化，制成的金属-半导体雪崩二极管，能产生连续的微波震荡，并且能在大功率下工作。 此外，也可以用金属-半导体势垒作为控制栅极，制成肖特基势垒栅场效应晶体管。也可以用作肖特基势垒栓波器或混频器等等。