G电子技术基础-第3章_场效应晶体管放大电路选编.ppt

第3章场效应晶体管放大电路;第3章 场效应管放大电路;场效应管FET与三极管BJT的区别;3.1、结型场效应管JFET;2. JFET工作原理;3.1.2 JFET特性曲线;3.2、绝缘栅场效应管MOS; 当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成 一层耗尽层，但负离子不能导电。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层 电子层，形成N型导电沟道 在UDS的作用下形成ID。 ;2.N沟道增强型MOS特性曲线;2). 输出特性曲线;3.2.2 N沟道耗尽型MOS场效应管;2. 特性曲线;各类场效应三极管的特性曲线;3.3 场效应管的主要参数;3.4 场效应管放大电路;2、微变等效电路;①电压放大倍数;例3.3.1 用EWB分析图共源结型场效应管基本放大电路的静态工作点和电压放大倍数，并与理论计算相比较。已知gm=0.69mA/V ,IDSS=1mA、UP= -2V。 ;3.4.2 共漏组态基本放大电路;3.4.3 共栅组态基本放大电路 ;双极型和场效应三极管的???种组态基本放大电路的比较