半导体器件基础：半导体二极管及其基本电路.ppt

1. PN结的重要性 2.PN结单向导电性 3.半导体二极管 4.半导体二极管的分析方法 5. 半导体二极管的基本应用 6. 特殊二极管 ;1.1 半导体基本知识 1.2 PN结及其特性 1.3 半导体二极管特性及其应用 1.4 稳压二极管;§1.1 半导体基础知识; 半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。在一定条件下可导电。 半导体的电阻率为10-3～109 ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。;1. 本征半导体——化学成分纯净的半导体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。电子技术中用的最多的是硅和锗。; 本征晶体中各原子之间靠得很近，使原分属于各原子的四个价电子同时受到相邻原子的吸引，分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。如下图所示：; 共价键上的两个电子是由相邻原子各用一个电子组成的，这两个电子被成为束缚电子。 束缚电子同时受两个原子的约束，如果没有足够的能量，不易脱离轨道。 因此，在绝对温度T=0?K（-273 ?C）时，由于共价键中的电子被束缚着，本征半导体中没有自由电子，不导电。只有在激发下，本征半导体才能导电。; 当导体处于热力学温度0?K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。; 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。; 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图所示。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。; 由于共价键中出现了空穴，在外加能源的激发下，邻近的价电子有可能挣脱束缚补到这个空位上，而这个电子原来的位置又出现了空穴，其它电子又有可能转移到该位置上。这样一来在共价键中就出现了电荷迁移—电流。;1.1.3 杂质半导体; 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。; 提供自由电子的五价杂质原子因失去一个电子而带 单位正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为 施主杂质。N型半导体的结构示意图如下图所示。;2. P型半导体;P型半导体结构;3. 杂质对半导体导电性的影响;本节中的有关概念;1.2.1 -1.2.4 PN结及其特性;1. PN结的形成;PN结的形成;PN结的形成;2. PN结的单向导电性; 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ;（3） PN结的伏安特性;3. PN结方程;PN结方程;4. PN结的击穿特性;5 . PN结的电容效应;(1) 势垒电容CB;(2) 扩散电容CD;扩散电容CD;§1.3 半导体二极管及其应用;1.3.1 半导体二极管的结构类型;平面型;1.3.2 半导体二极管的伏安特性曲线;二极管的伏安特性曲线; 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 ; 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：;反向特性;1.3.3 半导体二极管的参数;半导体二极管的参数;1.3.4 半导体二极管的温度特性;1.3.5 半导体二极管的型号;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;1.3 二极管电路及其分析方法;I;2. 模型分析法;大信号模型;理想模型;小信号模型;1.3.2 二极管基本应用;二极管基本应用;二极管基本应用;二极管基本应用;1.4 稳压二极管; 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。;稳压二极管参数;1.4.2 稳压管应用;稳压管应用