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第六章 化学气相淀积CVD;;;在微芯片加工中，淀积的薄膜必须具备如下特性：;在微芯片加工中，淀积的薄膜必须具备如下特性：;在微芯片加工中，淀积的薄膜必须具备如下特性：;在微芯片加工中，淀积的薄膜必须具备如下特性：;;工艺生长过程：; CVD的化学反应的条件：
在淀积温度下，反应剂须具有足够高的蒸气压
除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的
淀积本身必须具有足够低的蒸气压
薄膜淀积所用时间应该尽量以满足高效率和低成本的要求
薄膜淀积温度必须足够低，以避免对先前工艺产生影响
CVD不允许化学反应的气态副产物进入薄膜
化学反应应该发生在被加热的衬底表面;;6.2 CVD系统;常压化学气相淀积APCVD;;;应用:用于SiO2的淀积和掺杂的氧化硅(PSG、BSG等);APCVD缺点;低压化学气相淀积LPCVD;LPCVD淀积系统;;应用情况;等离子体辅助化学气相淀积;等离子体增强化学气相淀积PECVD;;;;PECVD优点;高密度等离子体化学气相淀积HDPCVD;;;6.3 多晶硅的特性和薄膜淀积;6.3 .1多晶硅的性质;;表5. 淀积温度对平均晶粒直径的影响;6.3 .2多晶硅的化学气相淀积;扩散掺杂
离子注入掺杂
原位掺杂;扩散掺杂;离子注入掺杂;原位掺杂;1.SiO2的用途
;
; 6.4.1 低温 CVD SiO2淀积SiO2的方法;2).正硅酸乙脂（TEOS）分解;B.中温LPCVD SiO2 :;C.TEOS与臭氧混合源的SiO2淀积 ;3. SiO2薄膜性质;6.4.2 CVD SiO2 薄膜的台阶覆盖;;6.4.3 CVD 掺杂SiO2;6.5 CVD氮化硅薄膜;2. LPCVD氮化硅薄膜(中温);3.等离子体增强化学气相淀积PECVD氮化硅薄膜(低温);
B、淀积过程的控制参量：淀积薄膜的性质与具体淀积条件密切相关，例如工作频率、功率、压力、样品温度、反应气体分压、反应器的几何形状、电极空间、电极材料和抽率。;4. 化学气相淀积氮化硅的性质 ;6.6 金属的化学气相淀积;;;;气相外延VPE;;;
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