第一章模拟电子技术基础汇总.ppt

课堂要求：;Ch1 半导体二极管及其基本电路 Ch2 双极性三极管及其放大电路 Ch4 功率放大电路 Ch5 集成运算放大器 Ch6 反馈放大电路 Ch7 集成运算放大器的线性应用和非线性应用 Ch8 信号产生电路 Ch9 小功率直流稳压电源;数字电子技术;1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结 1.3 半导体二极管 1.4 半导体二极管的模型及应用 1.5 特殊二极管;1.1 半导体基本知识; 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝 缘体和半导体。;典型的半导体有硅Si和锗Ge（元素半导体）以及砷化镓GaAs（化合物半导体）等。;1.本征半导体的共价键结构;1.本征半导体的共价键结构; 2.电子空穴对; 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。;3. 载流子的移动;4. 半导体的特性; 掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。;1. N型半导体;2. P型半导体;3. 杂质对半导体导电性能的影响;结论:;1.2 PN结; 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。; 因内电场作用所产生的运动称为漂移运动。;由杂质离子形成空间电荷区 ;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;;A; （2）当 u 0，即 PN结反向偏置时, 且当 | u | UT时;（3）当u 0，且u 超过某一定值， 如 u UBR时，i 则反向剧增，这种现象就叫击穿。; （1）U(on)随T↑ 而略↓，当温度进一 步增大到极端，本征 激发占主要地位，杂 质半导体变得与本征 半导体类似，PN结就 不存在了。; （2）当温度T↑时， PN结两边的热平衡少子 浓度相应增加，从而导 致PN结的反向饱和电流 IS增大。;（1） 势垒电容;（2）扩散电容;结电容 Cj=Cb+Cd ;1.3 半导体二极管;将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片;iD;iD/mA; 当u≥UBR时，反向电流急剧增加，UBR称为反向击穿电压 。; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所 不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡， 反向饱和电流也很小，小于0.1μA；锗二极管的 反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和 电流较大，约几十μA 。 ;;+;理想 模型;;[例3] 电路如图所示，设ui=6sinωt V，试绘出输出电压uo的波形，设D为理想二极管。;(2) 恒压降模型 ; 其电流i与u成线性关系，;[例4]二极管开关电路如图所示，VI1和VI2分别为0V和 5V，求输出电压VO的值。设D为硅二极管，开启电压Von=0.5V，电阻rD=300Ω。;2.微变等效电路分析方法 ;2.微变等效电路分析方法 ;1. V＝2V、5V、10V时二极管中的直流电流各为多少？ 2. 若输入电压的有效值为5mV，则上述各种情况下二极管中的交流电流各为多少？;V＝2V，ID=6.5mA;1.5 特殊二极管;＋;2.稳压二极管的主要参数; 稳压管的功耗超过PZM，会因结温升过高而损坏。;[例1] 电路如图所示，设ui=6sinωt V，试绘出输出电压uo的波形。设DZ为硅稳压二极管，稳定电压UZ=5V, 正向导通压降忽略不计。;[例2] 在图示稳压管电路中,已知稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA,负载电阻RL=600Ω。求解限流电阻R的 取值范围。;