4.触发电路(远程)选读.ppt

第四章 晶闸管的触发电路; 基本要求如下：;触发脉冲必须有足够的电压和电流，这些指标在产品样本中均已标明；为可靠起见，可再实测数据，按所测数据给以裕量，一般可取两倍左右所触发电流大小（按电流大小决定电压）。 ;触发脉冲宽度，应要求触发脉冲消失前阳极电流已大于擎住电流，以保证晶闸管的导通。 桥式全控整流电路采用单脉冲触发时，脉宽应为60°～120°，而采用双脉冲时，脉宽取10°即可，最后可通过实验决定。 对较宽的触发信号，也可采用脉冲列的形式代替。;触发脉冲与主回路电源电压必须同步，即保持某种相位关系。 触发脉冲的移相范围应满足变流装置提出的要求。它与主电路形式，负载性质及变流装置的用途有关。;此外，还要求触发电路具有动态响应快，抗干扰能力强，温度稳定性好等性能。 ; 第二节 单结晶体管触发电路;如图4-1示，第一基极 及第二基极 用欧姆接触方式从一块高电阻率的N型硅片上引出， 间呈现较高内阻，用 表示， ;在靠近 侧，渗入P型杂质形成一个PN结，将P引出作发射极e，e对极 都是一个PN结，具有二极管单向导电性，故称单结晶体管或双基极二极管。 ;单结晶体管的伏安特性，测试电路如图4-2(a)，所测的是当 一定时发射极电压 和发射极电流 的关系曲线。 ;单结晶体管的等效电路: 表示 至PN结间硅片电阻， 表示 至PN结间的硅片电阻，显然 = + 。D代表PN结所形成的二极管。 ;设电路开关K接通，当 = 0 时 通常分压比 此时二极管 D 受 电压反向偏置，所以当 = 0时将有反向漏电流- ，如图4-3。 ;当 增长时，二极管D所受的反向偏置电压将减小，因而漏电流减小。 当 = ，二极管D处于零偏置， = 0。 ;当 ，但 + 时（ 为二极管导通时的正向压降），正向 很小。 当 + 时， 显著增长，同时 显著减小。 关系曲线如图。 ;P-V段为负阻区，从截止区转变为负载区的转折点P称为峰点，该点的电压称为峰点电压 ，其值为 = + 对应 的电流称峰点电流 。 ;;负载特性结束的转折点V称谷点，对应谷点电压 ，谷点电流 。越过谷点后， 不再减小， 又 随 增大而加大，称为饱和，自谷点以后的区域称饱和区。 谷点电压是维持单结晶体管导通的最小电压。只要 时，单结晶体管将由导通转化为截止。 ;二． 单结晶体管弛张振荡电路;;电路接通后，电源E经电阻 向电容C充电，充电时间常数为 C。 当电容电压达到峰点电压 时， 结导通，单结晶体管进入负载区，电容C通过 经 放电，在 上产生脉冲电压 。 在放电过程中， 按指数曲线下降到谷点电压 ，单结晶体管由导通迅速转为截止， 上脉冲电压终止。 ;此后C又充电，重复上述过程。结果在电容两端产生锯齿波电压，在电阻 上获得脉冲电压。 ;振荡条件;当 较大时，负载线为直线1与单结管伏安特性相交于截止区，电流小于峰点电流，管子不能进入负阻区，电容C不能放电，不能形成振荡。;当 ，则当 达到 时，经 的电流大于 ，管子进入负载区，负载线为图4-5中直线2。 ; 当 即过小时，负载线则为直线3，与伏安特性曲线相交于谷点右侧，此时单结管导通后，由于 太小，电源E经 可以提供比 更大的电流，于是管子直通工作于饱和区稳定点，电路不能振荡。;为保证电路振荡， 取值应满足 (4-1) 的取值范围较大的。 ;2. 振荡频率;三．单结晶体管的同步和移相触发器;;图中采用变压器T，使副边电压 与供给可控整流电路的主电源电压 为同一交流电源，保证了 与 频率相同，相位一致。T称同步变压器。 交流电压 全波整流后，经稳压管D