4-4MOS场效应晶体管选读.ppt

MOS场效应晶体管 (16学时) ;4.1 MOS管的结构、工作原理和输出特性 4.1.1 MOS场效应晶体管的结构 4.1.2 基本工作原理和输出特性 4.1.3 MOS场效应晶体管的分类 4.2 MOS场效应晶体管的阈值电压 4.2.1 MOS管阈值电压的定义 4.2.2 MOS管阈值电压的表示式 4.2.3 非理想条件下的阈值电压 4.2.4 影响阈值电压的其他因素 4.2.5 阈值电压的调整技术 4.3 MOS管的直流电流-电压特性 4.3.1 MOS管线性区的电流-电压特性 4.3.2 MOS管饱和区的电流-电压特性 4.3.3 亚阈值区的电流-电压特性 4.3.4 MOS管击穿区特性及击穿电压 4.4 MOS电容及MOS管瞬态电路模型 4.4.1 理想MOS结构的电容-电压特性 4.4.2 MOS管瞬态电路模型-SPICE模型;第一讲 （2学时）;教学目标：了解MOS场效应管基本结构和工作原理，掌握MOS场效应管漏源输出特性，熟悉MOS场效应管分类； 教学重点： MOS场效应管漏源输出特性； 教学难点：漏源输出特性产生机制； 教学方法：讲授法。;场效应管：利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流 的三极管;一种载流子参与导电，又称单极型 (Unipolar)晶体管。;特 点;4.1 MOS场效应晶体管结构、工作原理和输出特性 ;通常， MOS管以金属Al (Metal) ?SiO2 (Oxide) ?Si (Semicond -uctor)作为代表结构 ;基本结构参数 ----;MOS管工作原理 ;强反型时，表面附近出现的与体内极性相反的电子导电层称为反型层——沟道，以电子导电的反型层称做N沟道。;UGS=0, UDS≠0，漏端PN结反偏，反偏电流很小——器件截止 ;漏-源输出特性 ;（1）截止区特性（UGS UT 开启电压） ;（2）线性区特性（UGS ≥UT）——曲线OA段;（3）沟道夹断——曲线A点;当电压继续增加到漏端栅绝缘层上的有效电压降低于表面强反型所需的阈值电压UT 时，漏端表面的反型层厚度减小到零，即漏端处沟道消失，只剩下耗尽区，这就是：沟道夹断。 使漏端沟道夹断所需加的漏-源电压UDS称为饱和漏-源电压(UDsat)，对应的电流 I 称为饱和漏-源电流(IDsat)。 ;（4）饱和区特性——曲线AB段 ;（5）击穿特性——曲线BC段 ;转移特性(输入电压-输出电流) ;4.1.3 MOSFET的分类 ;栅极施加负压时，表面出现强反型而形成P型导电沟道; ;增强型和耗尽型 ; 当衬底杂质浓度低, 而SiO2层中的表面态电荷密度又较大，在零栅压时，表面就会形成反型导电沟道，器件处于导通状态; ;电路中的电学符号——教材有误 ;第二讲 （2学时）;教学目标：了解MOS场效应管理想与非理想阈值电压的主要影响因素，掌握理想与非理想条件下阈值电压的计算，熟悉栅厚、功函数、表面态和杂质浓度对阈值电压的影响，把握阈值电压的调整技术； 教学重点：阈值电压的计算； 教学难点：影响阈值电压的机制； 教学方法：讲授法。;4.2 决定阈值电压的因素 ;4.2.2 阈值电压的相关因素 ;Inversion region;表面强反型时，表面耗尽层(surface depletion-layer)宽度达到最大 ;栅氧化层的单位面积电容 ;阈值电压为 ;4.2.3 非理想条件下的阈值电压 ;UBS = 0，UDS ? 0时非平衡状态下的阈值电压 ;结两边的费米能级之差 ;UBS ? 0时的阈值电压 ;此时： ;由此可以看出：; 为了描述阈值电压随衬偏电压的变化，人们定义了衬偏调制系数：;衬底偏置电压UBS 对UT 的影响 ;4.2.4 影响阈值电压的其他因素 ;2．功函数差 的影响 ;3．表面态电荷密度QSS的影响 ;4．衬底杂质浓度的影响 ;4.2.5 阈值电压的调整技术 ;1．用离子注入掺杂技术调整阈值电压 ;（3）中等深度注入 ;中等深度注入;2．用埋沟技术调整MOS管的阈值电压 ;（2）采用埋沟技术控制MOS管阈值电压的大小 ; 对于结构已定的器件，用埋沟技术就能够控制器件沟道是夹断或是夹不断的情况，从而得到不同的转移特性； ;第三讲 （2学时）;教学目标：了解MOS场效应管线性区、饱和区的电流-电压特性，掌握线性区、饱和区I-V计算方法，熟悉漏源击穿特性及击穿电压和击穿机理。 教学重点：线性区、饱和区电流计算方法； 教学难点：电流计算推到方法击穿机理分析； 教学方法：讲授法。;4.3 MOS管的直流电流-电压特性 ;4.3.1 线性区的电