二极管和三极管原理汇总.ppt

第二讲 逻辑门电路－附;一、半导体的基本知识;1、半导体;2、半导体材料的特性;3、本征半导体;4、本征半导体的导电性能;硅原子;在价电子成为自由电子的同时，在它原来的位置上就出现一个空位，称为空穴。空穴表示该位置缺少一个电子，丢失电子的原子显正电，称为正离子。 自由电子又可以回到空穴的位置上，使离子恢复中性，这个过程叫复合。;4.3 空穴流与电子流;空穴;5、杂质半导体;N型半导体;P;P型半导体;Si;二、半导体二极管; PN结是由P型和N型半导体组成的，但它们一旦形成PN结，就会产生P型和N型半导体单独存在所没有的新特性。;1、PN 结的形成 ;;扩散运动与漂移运动;扩散和漂移的动态平衡形成了PN结;;如果在PN结上加正向电压，即外电源的正端接P区，负端接N区。 可见外电场与内电场的方向相反，因此扩散与漂移运动的平衡被破坏。外电场驱使P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷。于是，整个空间电荷区变窄，电内电场被削弱，多数载流子的扩散运动增强，形成较大的扩散电流(正向电流)。; 在一定范围内，外电场愈强，正向电流(由P区流向N区的电流)愈大，这时PN结呈现的电阻很低。正向电流包括空穴电流和电子电流两部分。空穴和电子虽然带有不同极性的电荷，但由于它们的运动方向相反，所以电流方向一致。外电源不断地向半导体提供电荷，使电流得以维持。;结加反向电压;若给PN结加反向电压，即外电源的正端接N区，负端接P区，则外电场与内电场方向一致，也破坏了扩散与漂移运动的平衡。 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走，使得空间电荷增加，空间电荷区变宽，内电场增强，使多数载流子的扩散运动难以进行。但另一方面，内电场的增强也加强了少数裁流于的漂移运动，在外电场的作用下，N区中的空穴越过PN结进入P区， P区中的自由电子越过PN结进入N区，在电路中形成了反向电流(由N区访向P区的电流)。; 由于少数载流子数量很少，因此反向电流不大，即PN结呈现的反向电阻很高。 （换句话说，在P型半导体中基本上没有可以自由运动的电子，而在N型半导体中基本上没有可供电子复合的空穴，因此，产生的反向电流就非常小。） 值得注意的是：因为少数载流子是由于价电子获得热能(热激发)挣脱共价键的束缚而产生的，环境温度愈高，少数载流子的数目愈多。所以温度对反向电流的影响很大。; PN结的反向击穿（具体请看备注）： ① 齐纳击穿 ② 雪崩击穿 ;三、双极型晶体管;基本结构;B;;;IB=IBE -ICBO?IBE;晶体管中的载流子运动和电流分配;;1、结型场效应管（JFET）;① N沟道结型场效应管;;;;;;可见，若UGSVP且不变： 当UDS＞0且尚小时，PN结因加反向电压，使耗尽层具有一定宽度，但宽度上下不均匀，这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻，因而漏源电压UDS沿沟道递升，造成漏端电位低于源端电位，使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端，因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然，在UDS较小时，沟道呈现一定电阻，ID随UDS而接近线性规律变化。 由于沟道电阻的增大，ID增长变慢了。当UDS增大而使得UGD等于VP时，沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止，因为预夹断层很薄且漏源两极间的场强足够大，完全可以把向漏极漂移的载流子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS。当UGD＞VP时，耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分，形成夹断区 。; 在发生预夹断后，由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多，UDS继续增加的那部分电压基本上落在夹断区上，使夹断区形成很强的电场，它完全可以把沟道中向漏极漂移的载流子拉向漏极，形成漏极电流。因为未被夹断的沟道上的电压基本保持不变，于是向漏极方向漂移的载流子也基本保持不变，管子呈恒流特性。 但是，如果再增加UDS达到BUDS时（BUDS称为击穿电压），进入夹断区的电子将被强电场加速而获得很大的动能，这些电子和夹断区内的原子碰撞发生链锁反应，产生大量的新生载流予，使ID急剧增加而出现击穿现象。 由此可见，结型场效应管的漏极电流ID受UGS和UDS的双重控制。;2、绝缘栅型场效应管（MOSFET）;N沟道增强型;;③ 当VGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏（D）－源（S）极之间仍无导电沟道出现， ④ VGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当VGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N区相连通，在漏－源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层。VGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，??道电阻越小。