半导体器件物理2教材.ppt

第一章 PN 结;① 制备过程;② 杂质分布;设 PN 结的位置在 ，则突变结的杂质分布可以表示为;（2）扩散法及其杂质分布;② 杂质分布;低表面浓度的深扩散结一般可以认为是线性缓变结，而高表面浓度的浅扩散结， 处的斜率 很大，这时扩散结可用突变结来近似。;2.空间电荷区的形成;通常把在 PN 结附近的这些电离施主和电离受主所带电荷称为空间电荷。它们所存在的区域称为空间电荷区。 ;2.PN 结能带图;PN 结中费米能级处处相等恰好标志了每一种载流子的扩散电流和漂移电流互相抵消，没有净电流通过 PN 结。 ;平衡 PN 结的空间电荷区两端间的电势差称为 PN 结的接触电势差或自建电势差。相应的电子势能之差即能带的弯曲量称为 PN 结的势垒高度。;注：在室温下 ，;;5．PN 结载流子分布;空间电荷区内载流子的分布是按指数规律变化的，变化非常显著，绝大部分区域的载流子浓度远小于中性区域，即空间电荷区的载流子基本已被耗尽，所以空间电荷区又叫耗尽区。 ;6．空间电荷区的电场和宽度;根据耗尽层近似，可认为空间电荷区中正、负空间电荷密度分别等于施主浓度（ ）和受主浓度（ ）。由于电中性的要求，整个空间电荷区中正负电荷相等，即:;② ，如图作高斯面，有;③ ，如图作高斯面，有;由（1）（2）式可见，当 （界面处）时，电场强度最大，为：;2）空间电荷区的宽度;② 对于 结， ， ，所以 ;线性缓变结的空间电荷区如图所示，正负空间电荷区的宽度相等，即:;下面用高斯定理来求空间电荷区的电场分布。如图作高斯面，下面求高斯面内的总电荷，由图知 ;（考虑到 ） ;2）空间电荷区的宽度