半导体器件原理第二章.7教材.ppt

§2-7 PN结的开关特性;; 反向时:;2、开关速度; 3、反向恢复过程; 上式将作为后面求解电荷方程时的初始条件，同时后一个式子就是空穴连续性方程的积分形式在稳态时的简化形式。 当电压由E1 突然变为(-E2 )时，正是这个存贮在N 区中的非平衡少子电荷Q0 为反向电流提供了电荷来源。 ; 在t r 期间，设PN 结上的电压为V(t)，则 , N区中非平衡少子的变化情形如下图所示：; 曲线 1～4 为存贮过程，即 t s 期间：; 曲线 4～6 为下降过程，即 t f 期间：;4、t r 的计算; 上式是一个关于N 区中非平衡少子电荷的微分方程。 从式中可以明显地看出，存贮电荷的消失有两个途径，即 Ir 的抽取与复合。; (2) 从器件本身，应降低少子寿命 τp ，这一方面可减少正向时的存贮电荷Q0 = τp If ，同时可加快反向时电荷的复合。 通常可采用掺金、??铂、中子辐照或电子辐照等方法来引入复合中心，从而使 τp 减少。; (3) 还应当尽量减薄轻掺杂一侧中性区的厚度。这可以使存贮在该区的少子电荷减少。