CH-1-5-磁电阻探究.ppt

§1-5 磁致电阻-目录;§1-5-0 磁致电阻;§1-5-1.正常磁电阻;一般无磁场电阻的起源:;;二. 物理机理;强场 ; 数量级估计;§1-5-1.2. 磁性金属磁电阻;一般:;GMR 研究背景：;2007Nobel Prize in Physics;A. Fert and P. Grunberg 发现了巨磁阻效应 发现了巨磁阻效应的三个重要意义 ;Peter Grünberg ;GMR关键的第一步-开拓性意义;Giant Magnetoresistance - A. Fert and P. Grunberg ;Born: 1938, two children 1962: 巴黎高师: 物理与数学 双学士 (五年) 1963: 南巴黎大学 硕士 NMR of hydrogen absorbed by palladium “ 1970:南巴黎大学 博士 Transport properties of nickel et iron 1962-1964 : Assistant at Université de Grenoble ( 1964-1965 : military service)1964-1976 : Maitre Assistant at Université Paris-Sud (Orsay)1976 to now: Professor of Physics at Université Paris-Sud.;发现了巨磁阻效应的三个重要意义;诱导出一门新的学科:自旋(磁)电子学(spintronics) - From Lord Kelvin to S-G to Fert;诱导出一门新的学科:自旋(磁)电子学(spintronics) - From Lord Kelvin to S-G to Fert;电子运动在物理学舞台的大展示;纳米技术的第一个重要的实际应用;纳米技术的第一个重要的实际应用;§1-5-2.GMR;§1-5-2.1.GMR的实验现象与特征;二.超晶格多层膜的磁输运性质;Oscillation : 图 焦版 P29 图2.18;§1-5-2.2.GMR的物理图像与机制;调制结构的磁有序机制 GMR的磁性基础;Pay more attention on: ; 二. 调制结构的磁输运机制 - GMR的核心问题;每一铁磁层内自旋相关载流子特征 -自旋相关散射-双电流模型;正常金属 Vs 铁磁体;Notes: ;自旋相关散射势;2. 双电流模型;解释 : 超晶格多层膜的 各项磁输运性质;Oscillation : 图 焦版 P29 图2.18;;A. 对GMR性质1)、2)的解释 ;定性: ;多层膜巨磁电阻的解释 ;三类特征长度：;若自旋↓的电子在Ms向下的磁层中为低电阻状态，则当跨越到相邻的Ms向上的磁层中时，会变高阻态；自旋↑的电子亦对应类似。;有场;多层膜的磁电阻MR ;;对于Co，Ni： ;B .对GMR性质3)的解释; 随温度的变化分析;当温度↑时 ;低温短路;◆ l 比多层膜中各层厚度 t 短时，各等效电阻相互独立，这时不论多层膜中各层MS处于平行或反平行，其电阻均相同 ;§1-5-2-3 磁性颗粒膜(magnetic granule film) ; 实验现象; 物理机制;本质： 机制与调制多层膜一致 揭示： 反铁磁耦合并非是产生GMR 的必要条件;§5－4.4 隧道磁电阻(TMR); 实验现象;本质： 机制与调制多层膜一致 揭示： 反铁磁耦合并非是产生GMR 的必要条件 比较： 因有Insulator层，电阻大，电流小时， 可使电压达到相对大的值－便于器件的开发;;§5－4.5 自旋阀（Spin Valve）;自旋阀（Spin Valve）;原理：外磁场仅使一个矫顽力低或未被钉杂磁层中的磁矩发生反转，从而实现从FM向AFM的度越，诱发GMR;实际自旋阀的例子：;§5.5 庞磁电阻(CMR)（Colossal MR ）;实验发现与现象;早期发现－电磁性质;Conclusions:;1989发现： CMR effect ;主要以下的议题;Physical picture and Mechanics;1.为什么是反铁磁性绝缘体？ （1）;;为什么 是反铁磁性绝缘体？（2） ; 为什么 是反铁磁性绝缘体？（3) ;为什么 是反铁磁性绝缘体？（4） ;为什么