1.（）奈米线为一维奈米材料.ppt

1.（）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm ;1.（4）何謂奈米的單位（1） mm （2） um （3） cm （4） nm ;2.（）奈米線為一維奈米材料;2.（ ○ ）奈米線為一維奈米材料;3.（）本實驗奈米線合成的材料為何;3.（ZnO）本實驗奈米線合成的材料為何;4.（）本實驗合成奈米線的溫度;4.（500 ℃ ）本實驗合成奈米線的溫度;5.（）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2;5.（2）本實驗合成奈米線所通入的氣體（1） Cl2 （2） O2 （3） N2 （4）H2;6.（）本實驗合成奈米線的機制;6.（VLS,VS）本實驗合成奈米線的機制;7.（）VLS為何;7.（氣相-液相-固相）VLS為何;8.（）VS為何;8.（氣相-固相）VS為何;9.（）本實驗合成奈米線的觸媒為何;9.（金）本實驗合成奈米線的觸媒為何;10.（）本實驗合成奈米線使用的基板為何;10.（矽,氧化鋁）本實驗合成奈米線使用的基板為何;11.（）ZnO奈米線的晶體結構;11.（HCP）ZnO奈米線的晶體結構;12.（）ZnO為半導體材料;12.（ ○ ）ZnO為半導體材料;13.（）ZnO為寬能隙半導體;13.（ ○ ）ZnO為寬能隙半導體;14.（）ZnO為功能性氧化物;14.（ ○ ）ZnO為功能性氧化物;15.（）HCP的APF為何;15.（0.74）HCP的APF為何;16.（）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205 ;16.（ ○ ）ZnO奈米線的Lattice constants at room temp為a=3.250, c=5.205 ;17.（）ZnO為P-Type;17.（ ○ ）ZnO為P-Type;18.（）合成奈米線時須放置在爐管中央;18.（ ○ ）合成奈米線時須放置在爐管中央;19.（）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g ;19.（1）本實驗鋅粉取（1）0.3 g （2） 1.0 g （3） 2.0g （4）3.3 g ;20.（）ZnO奈米線摻雜何種材料;20.（Al）ZnO奈米線摻雜何種材料;21.（）奈米線具有高比表面積;21.（○）奈米線具有高比表面積;22.（）奈米線易於應用感測元件;22.（ ○ ）奈米線易於應用感測元件;23.（）奈米線易於應用雷測元件;23.（○）奈米線易於應用雷測元件;24.（） SEM 全名;24.（掃描式電子顯微鏡） SEM 全名;25.（） TEM全名;25.（穿透式電子顯微鏡） TEM全名;26.（） SEM 試片製作需鍍金;26.（○） SEM 試片製作需鍍金;27.（）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪;27.（ ○ ）製作奈米線的TEM 試片必需使用超音波震盪;28.（）超音波震盪使用時間為20分;28.（×）超音波震盪使用時間為20分;29.（）如何判定是VLS或VS ;29.（有無鍍金）如何判定是VLS或VS ;30.（）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性;30.（ ○ ）分析起始電場與飽和電流曲線稱為場發射特性;31.（）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測;31.（ ○ ）分析感測元件對酒精氣體的反應時間與回覆時間稱為氣體感測;32.（）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測;32.（○）分析UV 燈源照射下,感測元件之反應時間與回覆時間稱為UV感測;33.（） UV稱為紫外光;33.（ ○ ） UV稱為紫外光;34.（）分析場發射特性時需抽真空;34.（○）分析場發射特性時需抽真空;35.（）50 Torr 稱為低真空;35.（○）50 Torr 稱為低真空;36.（） 10-2 Torr 稱為低真空;36.（×） 10-2 Torr 稱為低真空;37.（） 10-5 Torr 稱為高真空;37.（○） 10-5 Torr 稱為高真空;38.（）抽真空時需先開渦輪幫浦;38.（ × ）抽真空時需先開渦輪幫浦;39.（）分析場發射特性時需量測極限值;39.（ ○ ）分析場發射特性時需量測極限值;40.（）分析場發射特性時起始電壓越低越好;40.（ ○ ）分析場發射特性時起始電壓越低越好;41.（）V＝E × L;41.（○）V＝E × L;42.（）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好;42.（ × ）分析UV特性時反應時間與回覆時間越高越好;43.（）分析氣體感測時反應時間