微电子器件(4-4)资料.pptVIP

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2017-05-01 发布于湖北
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微电子器件(4-4)资料.ppt

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4.4 MOSFET 的亚阈区导电; 定义：使硅表面处于本征状态的 VGS 称为本征电压，记为 Vi 。当 VGS = Vi 时，表面势 ?S = ?FB，能带弯曲量为 q?FB，表面处于本征状态。; 在亚阈区，表面弱反型层中的电子浓度较小，所以漂移电流很小；但电子浓度的梯度却很大，所以扩散电流较大。因此在计算 IDsub 时只考虑扩散电流而忽略漂移电流。; 设沟道上下的纵向电势差为 ( kT/q ) ，则沟道厚度 b 可表为; 将 n(0)、n(L) 和 b 代入中，得; 由于 ?FB ?S 2?FB ，CD(?S ) 中的 ?S 可取为 1.5?FB 。; 1、IDsub 与 VGS 的关系 IDsub 与 VGS 之间为指数关系，当 VGS = VT 时 IDsub ≠ 0；; 定义：亚阈区的转移特性斜率的倒数称为亚阈区栅源电压摆幅，记为 S ，即; 1、联立方程法; 2、法; 但此法的误差???大，特别是对值不同而其它方面全部相同的 MOSFET 会测出不同的 VT 值。