第5章 半导体存储器; 5.1 存储器概述;第5章 半导体存储器;第5章 半导体存储器;半导体存储器
(Memory);一、RAM原理;第5章 半导体存储器;第5章 半导体存储器;2. 外围电路
(1)地址译码器
——对外部地址信号译码,
用以选择要访问的单元。 ;第5章 半导体存储器;低功耗 CMOS SRAM, 容量8K×8bit;
DIP封装,单一5V电源供电。
28PIN,输入输出电平与TTL兼容。最大存储时间70~120ns。; Din;第5章 半导体存储器;(一)62256
62256是32K*8的CMOS静态RAM
; 容量是256K×4,片内需18个地址信号,外接9根地址线,由内部多路开关将外部18根地址线分两次送入。;第5章 半导体存储器;典型的PROM基本存储电路如下图所示。
芯片出厂时,开关管T1与位线(数据线)之间以熔丝相连。
用户可对其进行一次性编程(熔断或保留熔丝以区分“1/0”):
当加入写脉冲,某些存储单元熔丝熔断,信息永久写入,
不可再次改写。;第5章 半导体存储器;第5章 半导体存储器;第5章 半导体存储器;5.4.1 存储器芯片选择;第5章 半导体存贮器;第5章 半导体存贮器;5.4.2 存储器容量扩充
当单片存储器芯片的容量不能满足系统容量要求
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