第3章：光探测材料与器件-光电池教程.pptx

探测器件;;太阳电池的结构;光电池核心结构;热平衡状态下的PN;电子电势能曲线;1.热平衡状态下的PN结电流; 当光照射在p-n结上时，光子会产生电子-空穴对。;无光照;3.光照后产生的电流： 两部分电流：;光电池性能参数;I=Isc-ID →I=Isc-IS(eqV/kT-1);光电池性能参数;光电池性能参数;理想电池的输出功率： P=IV= IscV-IS(eqV/kT-1)V 求上式的极值，就得到最大输出电压（Vmp)和最大输出电流(Imp) ，最大输出功率(Pmp)等于最大输出电流和最大输出电压的乘积。 填充因子 定义电池的填充因子FF（fill factor)=ImpVmp/(IscVoc)， 填充因子小于等于1 电池转换效率（η） η=最大输出功率除以入射功率=Pmp/Pin ;最大功率点 在太阳电池的伏安特性曲线上对应最大功率的点，又称最佳工作点。 最佳工作电压 太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电压。通常用Vmp表示 最佳工作电流 太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电流。通常用Imp表示;(2)实际太阳电池等效电路： 由于漏电流等产生的旁路电阻Rsh 由于体电阻和电极的欧姆电阻产生的串联电阻Rs 在Rsh两端的电压为： Vj =(V+IRS) 因此流过旁路电阻Rsh的电流为： ISh= (V+IRS) / Rsh 流过负载的电流： I= Ip – ID – ISh; 这就是光照情况下太阳电池的电流与电压的关系。;串联电阻表达式： rmf是正面电极金属栅线电阻，rc1、rc2 分别是正面、背面金属半导体接触电阻， rt是正面扩散层的电阻，rb是基区体电阻，rmb是背面电极金属层的电阻 ;;光照能使电池的I-V曲线向下平移到第四象限，于是二极管的电能可以被获取。 为便于讨论，太阳电池的I-V特性曲线通常被上下翻转，将输出曲线置于第一象限，并表示： ;定性结论： 短路电流随Eg的增大而减小； 开路电压随Eg的增大而增大； 在Eg为1.4eV时出现太阳电池的最大转换效率;太阳光谱;不同辐照度下电池的I-V特性曲线;3.量子效率（QE-quantum efficiency);外量子效率（external quantum efficiency);内量子效率（internal quantum efficiency);内外量子效率的关系;Voc = 0.5-0.6 V Jsc = 30 mA/cm2 (300 A/m2) FF = 75-85 %;无机太阳能电池研究进展;硅太阳电池 单晶硅 多晶硅 非晶硅 ;单结太阳电池转换效率理论值可达到31%(GaAs)，目前最高的单结电池效率接近25%，产业化的最高效率20%多，与理论值还有较大差距。 ;太阳电池的工作过程;太阳电池工作时引起效率损失的过程;尽可能的增加电池的光收集能力和被电池吸收的光转变为载流子数量. 尽力提高p-n结对光生载流子的收集能力 尽可能的减少正向偏压下暗电流 尽可能降低电流流出太阳电池时的电阻损失;材料禁带宽度;（1）光学损失;降低光学损失的方法;减反膜降低光学损失;根据前面的公式，计算得到最低反射率的减反膜的厚度和折射系数，由于折射系数是波长的函数，因此零反射仅仅发生在固定的单一的波长 对于太阳电池，折射系数和厚度选择波长为0.6μm时反射率最低，因为这个波长最靠近太阳光谱的峰值;仅仅因为氮化硅减反膜厚度不同;表面刻蚀（Surface texturing)降低光学损失;表面刻蚀的方法;Scanning electron microscope photograph of a textured silicon surface ;;Scanning electron microscope photograph of a textured multicrystalline silicon surface ;陷光结构（light trapping）降低光学损失;;;背反射膜Lambertian Rear Reflectors;（2）减少复合;复合引起的电流损失;复合引起的电压损失;表面复合;由于钝化层通常是绝缘的，因此在电池上任何有欧姆接触的地方（引出电流的地方）不能采用钝化层 一般采用提高掺杂来降低前接触部分的表面复合;电极设计;（3）减少串联电阻;降低并联损失;太阳电池分类(材料分类);太阳电池分类(应用分类);太阳电池分类（按照技术成熟程度）;太阳能电池基本结构;单晶硅太阳电池;多晶硅太阳电池;正电极;非晶硅太阳电池;69;单结GaAs/Ge异质结构太阳电池;71;72;73;太阳电池在发电系统中所占的成本从系统的建立到使用过期（20 年），只占大约28％－19％, 而蓄