第六章表面钝化技术教程.pptx

第六章 表面钝化技术;;;§ 6.1 Si-SiO2界面特性; 一、界面态（界面陷阱电荷 Qit ）;;;(100)和(111)硅上热氧化形成SiO2的界面态能量分布;界面态使MOS晶体管的阈值电压漂移； 使MOS电容的C-V曲线发生畸变； 减小MOS器件沟道的载流子迁移率，使沟道电导率减小，降低器件性能; 界面态还可以成为有效的复合中心，导致漏电流的增加，使双极型晶体管的小电流放大系数减小，低频噪声增大。;二、可动离子电荷Qm;为了降低Na+的污染，可以在工艺过程中采取预防措施：; 三、氧化层固定电荷 Qf ;在SiO2中因氧分布不均匀，在近氧气表面处，氧过剩，在近Si表面处，氧不足，出现氧空位，也称过剩硅。;固定电荷密度主要取决于氧化、退火条件和晶面的取向。; 四、氧化层陷阱电荷 Qot;产生陷阱电荷的方式: 主要有电离辐射和热电子注入等。;采用对辐照不灵敏的钝化层，例如A12O3，Si3N4等。;§ 6.2 低温钝化(LTP)技术; 一、LTP的特点;扩散工艺完成后，用HF溶液 去除全部高温氧化层。;LTP技术的关键工艺是低温生长SiO2层。;正硅酸乙酯的热分解反应为：; 二、LTP晶体管的特点;2. 提高电流放大系数;3. 减少低频噪声;4. 提高击穿电压;三、LTP技术的发展;磷-铝玻璃层中玻璃含量与器件潮湿性关系;LTP技术在大规模集成电路方面的应用称为第三代LTP技术。;§ 6.3 磷硅玻璃（P2O5·SiO2）钝化; PSG对Na+的稳定作用机制;加入P2O5后，磷取代了硅，由硅氧四面体变为磷氧四面体。; PSG制备方法;化学反应式：;§ 6.4 氮化硅钝化;Si3N4是一种较SiO2更为理想的绝缘介质和表面钝化膜，具体优点如下：;二、Si3N4膜的制备;2. 辉光发电法;3. 化学气相淀积法;三、Si3N4膜的应用;Si3N4钝化可减少器件的漏电流，提高击穿电压和可靠性。;§ 6.5 Al2O3的钝化; 二、 Al2O3膜的制备;2. CVD 法;3. 直流反应溅射沉积法; 三、 Al2O3膜用于器件钝化;§ 6.6 化学钝化;HCl氧化另一实验结果; HCl 氧化机理;二、 HCl 氧化工艺; 鼓泡法HCl氧化; 渗透法HCl氧化;§ 6.7 氮氢烘焙;氮氢烘焙前后晶体管寿命试验的hFE-t曲线;氢退火;结 束