第04章硅的氧化学案.pptVIP

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;第一章 引言 第二章 晶体生长 第三章 工艺中的气体、化试、水、环境和硅片的清洗 第四章 硅的氧化 第五章 光刻 第六章 刻蚀 第七章 扩散 第八章 离子注入 第九章 薄膜淀积 第十章 工艺集成 第十一章 集成电路制造;硅片制造厂的氧化扩散区 ;氧化膜;氧化硅的应用: 自然氧化层; 氧化硅的应用: 掺杂阻挡层;氧化硅的应用: 注入屏蔽氧化层;氧化硅的应用: 场氧化层; 氧化硅的应用: 栅氧化; 氧化硅的应用: 垫氧化层;;各种要求下的氧化层厚度范围;SiO2的结构;非桥联氧;含杂质的SiO2结构;热氧化生长;氧化反应方程式(Overall reaction);水汽法氧化 ;在氧化中硅的消耗;穿过氧化层的氧扩散;Deal-Grove模型-硅的热氧化模型;Deal-Grove 模型;F1:从气相区到硅片氧化层表面的氧分子流密度;F3:通过Si/SiO2界面产生化学反应的氧分子流密度;在稳态条件下,应有;若N1是指形成单位体积( cm3)SiO2所需要的氧化剂分子数 即对于O2氧化,N1=2.2×1022 cm-3 对于H2O氧化, N1=4.4×1022 cm-3 ;为了讨论方便,上式改写为;实验法提取B和B/A的值;D-G模型的计算值:干O2气氛中的热氧化, 100~200 nm常用。;D-G模型的计算值:H2O气氛中的热氧化, 100~200 nm常用。;D-G模型小结;薄氧化层; 对于薄热干氧化,G-D模型无法准确描述,实验表明在20 nm之内的热氧化生长速度和厚度比G-D模型大的多。;计算在120分钟内,920℃水汽氧化过程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状态时已有1000埃的氧化层。;影响氧化速率的因素;线性速率常数B/A随温度的变化;抛物线速率常数B随温度的变化;温度的影响分析;氯对氧化速率的影响;氯气氛的影响分析;氧化速率常数随温度和压强的关系;氧化剂分压的影响分析; 实验表明: 对于H2O氧化,氧化硅生长速率正比于PG; 对于O2的氧化,无法完全用线性关系描述。;掺杂对氧化速率的影响;掺杂的影响分析;(100)Si,in H2O at 900 ?C for 30 min;衬底晶向对氧化速率影响的原因;晶向对氧化速率的影响;2D热氧化;;; 掺有杂质的硅在热氧化过程中,靠近界面的硅中杂质,将在界面两边的硅和二氧化硅中发生再分布。其决定因素有: 1. 杂质的分凝现象 2. 杂质通过SiO2表面逸散 3. 氧化速率的快慢 4. 杂质在SiO2中的扩散速度;热氧化时杂质在界面上的再分布的诱因;k1,并且杂质在氧化物中 扩散很慢。 例如B,k=0.3 杂质在SiO2界面处浓度很高;k1,并且杂质在氧化物中 扩散慢。 例如 P,As,Sb杂质在硅 界面处堆积;Si/SiO2界面特性;界面陷阱电荷:硅表面出现晶格周期中断,从而导致界面处出现悬挂键,成为电子或空穴的陷阱,并在禁带中引入能级,称为界面态。 固定电荷层(Fixed Oxide Charge ):存在于Si/SiO2界面附近,是一些过剩的硅离子。这些过剩的硅在氧化过程中与晶格脱开,但还没有与氧分子反应,于是形成固定电荷层。 氧化层陷阱电荷:由氧化层内的缺陷引起,这些缺陷可以捕获电子或空穴。 可移动离子电荷:来自钾、钠等其它碱金属离子污染,在高温和电场的作用下可在氧化层内移动,非常有害。; 界面陷阱电荷/界面态Qit (Interface trapped charge);Qit和下列因素有关: 氧化温度,氧化气氛(湿氧、干氧),晶向等 Qit和干氧氧化温度的关系: 1.Qit 随温度升高而降低; 2.干氧Qit高于湿氧 3.在能带中间部分, Qit(100)比Qit(111)低约5倍 降低Qit的方法: 1.低温金属化后退火(PMA) 2.在H2或H2-N2(Forming Gas Annealing, FGA)中350-500 ?C退火30分钟 退火前,Qit约1011 cm-2eV-1 退火后,Qit约1010 cm-2eV-1 ;;固定氧化物电荷Qf (fixed oxide charge);Qf和Qit与晶向的关系: (100)晶向最低;位置:位于氧化层中任意地方。 来源: 1.氧化层中一些断裂的Si-O、Si-Si、Si-H、Si-OH 2.电离辐照(ionization irradiation) 3.VLSI工艺过程引入:如电子束蒸发、溅射、等离子体刻蚀、电 子束或X射线光刻、离子注入 结果:这些陷阱会捕获空穴或电子,影响器件的工作 改善方法:;位置:

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