第4章常用半导体器件原理2013学案.ppt

4. 1 半导体物理基础 4. 2 PN结 4. 3 晶体二极管 4. 4 双极性晶体管 4. 5 场效应管;　　4.1　半导体物理基础; 在本征硅和锗的单晶中，原子按一定规律整齐排 列，并通过共价键把相邻原子牢固地连系在一起。 如 图所示。; 1. 本征激发与复合;2. 本征载流子浓度 本征激发和复合处于平衡时，本征载流子的浓度为;4.1.2 N型与P型半导体;2. P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(如硼、铝、铟等)。;3.杂质半导体的载流子浓度; 由以上分析可知; 4.1.3 漂移电流和扩散电流;;; 　 开始时，扩散运动占优势，随着扩散运动的不断进行，界面两侧显露出的正、负离子逐渐增多，空间电荷区 展宽，使内电场不断增强，于是漂移运动随之增强，而扩 散运动相对减弱。最后，因浓度差而产生的扩散力被电场 力所抵消，使扩散和漂移运 动达到动态平衡。空间电荷 区的宽度一定，UB也保持 一定。;;;3.PN结电流方程 理论分析证明，按图示的参考方 向流过PN结的电流i与外加电压u 之间的关系为 　　　　　　 　　 ; 对于极性不同的正、反向电压，|u|只要大于UT几倍以上，则PN结电流方程可分别近似为;4.2.3 PN结的击穿特性;发生碰撞的连锁反应，使载流子剧增。;2. 齐纳击穿(场致击穿) 当反向电压大到一定值时，强电场足以将耗尽区内中性原子的价电子直接拉出共价键，产生大量电子-空穴对，使反向电流急剧增大。; 1. 势垒电容 从PN结的结构看，在导电性能较好的P区和N区之间，夹着一层高阻的耗尽区，这与平板电容器相似，如图所示。; 式中：CT0为外加电压u=0时的CT值，它由PN结 的结构、掺杂浓度等决定； UB为内建电位差，硅管约为0.7V； n为变容指数，与PN结的制作工艺有关，一般在1/3 ~ 6之间。 ;　2. 扩散电容 正向偏置的PN结，由于多子扩散，会形成一种特殊形式的电容效应。下面利用P区一侧载流子的浓度分布曲线来说明。 　;对PN+结，可以忽略ΔQp/Δu项。经理论分析可得; CT、CD都随外加电压的变化而变化，所以势垒电容和扩散电容都是非线性电容。;4.2.5 PN结的温度特性 PN结特性对温度变化很敏感，反映在伏安特性上即为：温度升高，正向特性左移，反向特性下移，如图中虚线所示。 ;小 结;正向偏置; 4.3 晶体二极管;4.3.1 二极管的伏安特性;4.3.2　二极管的电参数; 2. 交流电阻rD rD定义为：二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比，即;; 3.最大整流电流IF IF指二极管允许通过的最大正向平均电流。实际应用 时，流过二极管的平均电流不能超过此值。 4. 最大反向工作电压URM URM指二极管工作时所允许加的最大反向电压。通常取 UBR的一半作为URM 。 5.反向电流IR IR越小，单向导电性能越好。IR与温度密切相关，使用 时应注意IR的温度条件。 6.最高工作频率fM fM是与结电容有关的参数。工作频率超过fM时，二极 管的单向导电性能变坏。 ; 二极管是一种非线性电阻(导)元件，在大信号工作时，其非线性主要表现为单向导电性，即正偏时呈现低阻，反偏时呈现高阻。而正偏导通后所表现的非线性往往是次要的。; ①.A1BC近似，其模型为图(a)。其中管压降UD取0.7V(硅管)或 0.3V(锗管)，导通电阻rD一般为几十欧姆。; 以上三种电路模型，是在不同近似条件下模拟了大信号运用时二极管的开关特性。其中(b)、(c)是低频工作时最常用的近似模型。; [例1] 电路如图所示，计算二极管中的电流 ID 。已知二极管的导通电压UD(on) = 0.6 V，交流电阻 rD 近似为零。;作业 4-6，4-7, 4-9。;;4.3.4　二极管基本应用电路; ui0时，V1、V3导通； V2、V4截止 u