第6章存储器20150503学案.ppt

第6章 存储器;除采用磁、光原理的辅存外，其它存储器主要都是采用半导体存储。 本章介绍采用半导体存储器及其组成主存的方法;(1)半导体存储器的分类;半导体存储器的详细分类图示：;读写存储器RAM;只读存储器ROM;①存储容量：B、KB、MB、GB、TB;④功耗：半导体存储器的功耗包括“维持功耗”和“操作功耗”。 与计算机的电源容量和机箱内的散热有直接的联系，与芯片的操作速度成正比，应在保证速度的情况下，减小功耗。;2.随机存取存储器RAM;(1)半导体存储器一般结构及组成;(1)半导体存储器一般结构及组成;(1)半导体存储器一般结构及组成;(1)半导体存储器一般结构及组成;2.随机存取存储器RAM;NMOS静态基本存储电路;T3T5：为 N沟增强型MOS,交叉偶合组成触发器 T2T4：为P沟增强型MOS作为负载 T1T6：为 N沟增强型控制门;静态RAM的电路结构 28x1 ;静态RAM静态RAM芯片举例 ;2.随机存取存储器RAM;动态存储器芯片举例;2164A内部结构 ;存储容量为64K×1。由4个128×128的存储阵列组成。 采用双译码方式，16位地址信息要分两次送入芯片内部。由于封装的限制，16位地址信息必须通过同一组引脚分两次接收，因此，在芯片内部有一个能保存8位地址信息的地址锁存器。 1/4I/O门电路：由行、列地址信号的最高位控制,选择1个存储矩阵。 行、列时钟缓冲器：协调行、列地址的选通信号。 写允许时钟缓冲器：控制芯片的数据传送方向。 128读出放大器：与4个128×128存储阵列相对应，共有4个128读出放大器，它们能接收由行地址选通的4×128个存储单元的信息，经放大后，再写回原存储单元，是实现刷新操作的重要部分。 1/128行、列译码器： 分别用来接收7位的行、列地址，经译码后，从128×128个存储单元中选择一个存储单元，以便对其进行读/写操作。; CPU利用刷新周期进行刷新操作，刷新周期往往与读/写周期相等，一般在2毫秒内完成一次刷新。 刷新按行进行，列无效，7位行地址在行选通信号的控制下，对4个阵列中的同一行进行刷新，即读出、放大再写入，128次后全部存储单元刷新完毕。; Z80采用同步刷新，内部R寄存器提供刷新的行地址信息当系统不采用动态存储器时，R作为通用寄存器 一款由zilog公司制造的微处理器，与英特尔公司出产的8080微处理器的代码兼容。;(4)RAM存储容量的扩展方法-位扩展;片选端; 使用存储器容量的扩展方法将存储芯片按一定的结构设计出满足容量要求的RAM存储器，就可以使其与CPU连接而形成计算机的RAM存储器子系统。CPU与静态RAM的存储器连接时主要需要解决数据总线、地址总线和控制总线的连接问题。 下面是存储器容量扩展（包括字扩展和位扩展）的几种不同连接方法。; 用2114（1K×4）芯片组成4K×8RAM线选译码结构; 用2114（1K×4）芯片组成4K×8RAM部分译码结构; 用2114（1K×4）芯片组成4K×8RAM全部译码结构;3.只读存储器ROM;掩膜式ROM（ROM）;现场编程ROM （PROM）;可改写的PROM（EPROM） ;存储容量为2K×8 24个引脚： 11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP;EPROM芯片2764;EPROM芯片2864A;EPROM芯片2864A;4.高速缓冲存储器Cache ; (1)Cache存储器原理; (1)Cache存储器组织;直接映像 主存中的每一页只能复制到某一个固定的Cache页中，可以同时复制16页。规律：主存共2048页按顺序分为128组，每组16页，分别与Cache的16页直接映像，即第0、16、32等页只能映像到Cache的第0页第1、17、33等页只能映像到Cache的第1页。 在Cache方面，为每一页设立一个7位的Cache标志。如果现在Cache第0页复制的是主存中第16页的内容，其标记段为1，表示它现在与主存第1组相对应。 直接映像方式比较容易实现，但不够灵活，有可能使Cache存储空间得不到充分利用。;全相联映像 主存中的每一页可映像到Cache中的任一页。访问主存时，给出的20位地址分为两部分：高11位为主存页号，低9位为页内地址。Cache中每页的标记为11位，表示它所映像的主存页号（2×1024页之一）。 优点：映像关系比较灵活。 缺点：不能直接从主存地址码中提取Cache页号，需与Cache标记逐个比较，速度较慢，不太实用。;组相联映像 折衷方案，主存与Cache都分组，主存中一个组内的页数与Cache中的分组数相同。如